直讀光譜儀較早起源于上世紀(jì)40年代，起初被應(yīng)用于軍事裝備制造領(lǐng)域。第二次大戰(zhàn)后，隨著世界各國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施的重建，經(jīng)濟(jì)開始復(fù)蘇，光譜儀也逐步被應(yīng)用于民用領(lǐng)域。上世紀(jì)60年代，直讀光譜儀被引入到國(guó)內(nèi)，作為其一批應(yīng)用者，鋼研納克的母體原鋼鐵研究總院（現(xiàn)為中國(guó)鋼研科技集團(tuán)），見證了直讀光譜儀產(chǎn)業(yè)在我國(guó)的發(fā)展，這也為鋼研納克后期涉足該領(lǐng)域打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。2005年，鋼研納克推出一代直讀光譜儀——Labspark750，至今，鋼研納克的直讀光譜儀產(chǎn)品已歷經(jīng)了三次較大規(guī)模的升級(jí)迭代，產(chǎn)品性能持續(xù)得到改進(jìn)。本次鋼研納克在BCEI1A2019上推出的SparkCCD7000直讀光譜儀在檢測(cè)靈敏度、光學(xué)系統(tǒng)、智控、痕量元素識(shí)別等方面都有大幅提高，據(jù)了解，此儀器在發(fā)布會(huì)前已經(jīng)過多次試驗(yàn)比對(duì)，其各項(xiàng)數(shù)據(jù)均已處于國(guó)際1先進(jìn)水平。

直讀光譜儀保養(yǎng)要素

激發(fā)臺(tái)

在激發(fā)系統(tǒng)中其基本維護(hù)的部位為激發(fā)臺(tái)內(nèi)部，激發(fā)臺(tái)內(nèi)部是否清潔、電極極距是否穩(wěn)定，激發(fā)臺(tái)發(fā)光弧焰相對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)的高度等，均會(huì)影響我們的數(shù)據(jù)結(jié)果。

1、拔出廢氣管，用吸塵器清理激發(fā)腔中的灰塵；

2、使用脫脂棉沾純酒精擦拭護(hù)套；

3、清理完成，用極距規(guī)重新測(cè)量一次分析間距；

4、再用氬氣沖洗整個(gè)回路2~3分鐘，以沖掉進(jìn)入火花臺(tái)的空氣。

直讀光譜儀在檢測(cè)分析過程中由于各種因素的影響產(chǎn)生誤差是在所難免的，比如標(biāo)準(zhǔn)樣品和分析樣品成分不均勻、組織狀況不一致、光譜性能不穩(wěn)定、樣品表面處理不好、氬氣純度不夠等一個(gè)因素出現(xiàn)問題，就會(huì)影響到光電光譜分析誤差。了解其產(chǎn)生誤差的原因，采取有效的措施進(jìn)行消除或避免誤差，提高直讀光譜儀檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性，是一項(xiàng)十分重要的研究課題。

光電光譜分析選用的分析線，必需符合下列要求

直讀光譜分析時(shí)，一般都采用內(nèi)標(biāo)法。因內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行分析時(shí)常采用多條分析線和一條內(nèi)標(biāo)線組成，常用試料中的基體元素為內(nèi)標(biāo)元素。組成的線對(duì)要求均稱，就是當(dāng)激發(fā)光源有波動(dòng)時(shí)，兩條線對(duì)的譜線強(qiáng)度雖有變化，但強(qiáng)度比或相對(duì)強(qiáng)度能保持不變。

如R表示強(qiáng)度比即        

R=I1/I0

I1為分析線的強(qiáng)度，Io為內(nèi)標(biāo)線強(qiáng)度，表明I1和Io同時(shí)變，而R則不受影響。R與含量C之間有線性關(guān)系。

在光電直讀光譜分析時(shí)，有很多分析通道，要安裝許多內(nèi)標(biāo)通道有困難，因此采用一個(gè)內(nèi)標(biāo)線。但有人認(rèn)為再要提高光電光譜分析的準(zhǔn)確度還得采用不同的內(nèi)標(biāo)線，這還有待于光電轉(zhuǎn)換元件的小型化來解決。

光電法時(shí)，有時(shí)還用內(nèi)標(biāo)線來控制曝光量，稱為自動(dòng)曝光，也就是樣品在曝光時(shí)，分析線和內(nèi)標(biāo)分別向各自積分電容充電，當(dāng)內(nèi)標(biāo)線的積分電容器充電達(dá)到某一預(yù)定的電壓時(shí)，自動(dòng)截止曝光。此時(shí)分析線的積分電容器充電達(dá)到的電壓即代表分析線的強(qiáng)度I，并且亦即代表分析線的強(qiáng)度比R(因?yàn)镽=I1/Io，而此時(shí)Io保持常數(shù))這個(gè)強(qiáng)度I或強(qiáng)度比R就由測(cè)光讀數(shù)所表示。

現(xiàn)在一般采用計(jì)時(shí)曝光法較為普遍。