LC壓控型壓控振蕩器

在任何一種LC振蕩器中，將壓控可變電抗元件插入振蕩回路就可形成LC壓控振蕩器。早期的壓控可變電抗元件是電抗管，后來大都使用變?nèi)荻O管。圖 2是克拉潑型LC壓控振蕩器的原理電路。圖中，T為晶體管，L為回路電感，C1、C2、Cv為回路電容,Cv為變?nèi)荻O管反向偏置時呈現(xiàn)出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。當(dāng)輸入控制電壓uc改變時，Cv隨之變化，因而改變振蕩頻率。這種壓控振蕩器的輸出頻率與輸入控制電壓之間的關(guān)系為VCO輸出頻率與控制電壓關(guān)系式中C0是零反向偏壓時變?nèi)荻O管的電容量；φ 是變?nèi)荻O管的結(jié)電壓；γ 是結(jié)電容變化指數(shù)。為了得到線性控制特性，可以采取各種補償措施。

壓控振蕩器的性能參數(shù)

VCO的關(guān)鍵性能參數(shù)是調(diào)諧電壓、頻率范圍、本底噪聲、相位噪聲、輸出功率、諧波和負載阻抗。其次要性能參數(shù)包括電源電壓、電源電流、調(diào)諧靈敏度、推頻、牽引、調(diào)諧端口電容和機械事項。調(diào)諧靈敏度用于說明調(diào)諧電壓（MHz/V）變化引起的輸出頻率變化。值得注意的是輸出功率和諧波功率與輸入直流功率和調(diào)諧電壓之間存在關(guān)系，但是不一定存在線性關(guān)系。

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晶體諧振器的主要技術(shù)指標(biāo)介紹

標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對于標(biāo)稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的較大允許頻率偏差。

負載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時（產(chǎn)生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

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