可通過(guò)測(cè)量霍爾元件的電壓變化得到待測(cè)微壓差ΔP。圖1霍爾式磁性液體微壓差傳感器結(jié)構(gòu)示意圖Fig．傳感器改進(jìn)部分的模型如圖2所示。將霍爾元件固定在環(huán)形支架上，通過(guò)滑動(dòng)支架可以改變霍爾元件測(cè)量位置，增加了傳感器測(cè)量范圍。環(huán)形支架的凹槽處放置霍爾元件，兩個(gè)環(huán)形支架可以在滑軌上滑動(dòng)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩個(gè)環(huán)形支架間距，可以改變傳感器的測(cè)量量程。


則熔化時(shí)的反應(yīng)速度越快，由此所產(chǎn)生大量微小氣泡，增加氣泡上升的阻力，不易排除，延長(zhǎng)了玻璃澄清時(shí)間;而在相同的溫度制度下，反之，硅砂粒度越粗，其擴(kuò)散溶解速度越慢，反應(yīng)活化能越小，玻璃液的黏度越大，玻璃熔制難度越大，使得當(dāng)小顆粒的硅砂配合料處于澄清階段的同時(shí)，大顆粒的硅砂配合料還處于玻璃形成階段，從而延長(zhǎng)了玻璃的熔制、澄清時(shí)間［7-8］。


當(dāng)硅砂粒度控制在150～230目時(shí)，熔制時(shí)間雖比100～150目的樣品短，殘留未熔物較少，但微氣泡大幅增加，澄清時(shí)間大幅延長(zhǎng)，玻璃均勻性也比100～150目的樣品差。因此，對(duì)高應(yīng)變點(diǎn)玻璃的熔制而言，100～150目的硅砂更有利于制備出高質(zhì)量的高應(yīng)變點(diǎn)玻璃基板。圖7不同粒度硅砂配合料的氣泡個(gè)澄清效果的影響-數(shù)控滾圓機(jī)滾弧機(jī)折彎?rùn)C(jī)張家港倒角機(jī)液壓滾圓機(jī)滾弧機(jī)折彎?rùn)C(jī)倒角機(jī)

但對(duì)磨機(jī)生產(chǎn)率而言，在一定范圍內(nèi)生產(chǎn)率隨鋼球硬度增大而增加，但當(dāng)硬度超過(guò)一定范圍時(shí)則對(duì)磨機(jī)生產(chǎn)率產(chǎn)生不利影響，使磨機(jī)生產(chǎn)率下降。鋼球硬度過(guò)高時(shí)對(duì)磨礦不利的原因有兩個(gè)：

  ①鋼球回彈跳動(dòng)嚴(yán)重，在回彈中造成部分能量損失，故鋼球能量不是更多地用于破碎，故而影響破碎；

  ②鋼球硬度過(guò)高時(shí)，球與球之間相互接觸時(shí)滑動(dòng)厲害，不能有效地嚙基爾波住球間的礦粒，使礦粒的磨碎作用減弱。

  關(guān)于鋼球密度對(duì)磨礦的影響，一般地說(shuō)，尺寸相同的球密度大的生產(chǎn)率大，密度小的生產(chǎn)率小。