脈沖激光沉積

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在一階段，激光束聚焦在靶的表面。達(dá)到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時(shí)，靶表面的一切元素會(huì)快速受熱，到達(dá)蒸發(fā)溫度。物質(zhì)會(huì)從靶中分離出來，而蒸發(fā)出來的物質(zhì)的成分與靶的化學(xué)計(jì)量相同。真空室：Ф450球型真空室，基片尺寸：可放置4″可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調(diào)。物質(zhì)的瞬時(shí)熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。熔化機(jī)制涉及許多復(fù)雜的物理現(xiàn)象，例如碰撞、熱，與電子的激發(fā)、層離，以及流體力學(xué)。

在第二階段，根據(jù)氣體動(dòng)力學(xué)定律，發(fā)射出來的物質(zhì)有移向基片的傾向，并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象?？臻g厚度隨函數(shù)cosnθ而變化，而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度，對(duì)沉積膜是否均勻有重要的影響。脈沖激光沉積系統(tǒng)特點(diǎn)及優(yōu)勢可根據(jù)客戶需求定制產(chǎn)品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術(shù)支持。靶與基片的距離是另一個(gè)因素，支配熔化物質(zhì)的角度范圍。亦發(fā)現(xiàn)，將一塊障板放近基片會(huì)縮小角度范圍。

第三階段是決定薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵。放出的高能核素碰擊基片表面，可能對(duì)基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個(gè)碰撞區(qū)。激光脈沖能做到特別短，譬如“皮秒”級(jí)別，就是說脈沖的時(shí)間為皮秒這個(gè)數(shù)量級(jí)——而1皮秒等于一萬億分之一秒。膜在這個(gè)熱能區(qū)（碰撞區(qū)）形成后立即生成，這個(gè)區(qū)域正好成為凝結(jié)粒子的較佳場所。只要凝結(jié)率比受濺射粒子的釋放率高，熱平衡狀況便能夠快速達(dá)到，由於熔化粒子流減弱，膜便能在基片表面生成。

脈沖激光沉積簡介

脈沖激光沉積，就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個(gè)碰撞區(qū)。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

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脈沖激光沉積介紹

脈沖激光沉積，是一種用途廣泛的薄膜沉積技術(shù)。脈沖激光快速蒸發(fā)靶材，生成與靶材組成相同的薄膜。PLD 的獨(dú)特之處是能量源（脈沖激光）位于真空室的外面。Neocera開發(fā)了離子輔助的PLD系統(tǒng)，該系統(tǒng)將PLD在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢與IBAD能力結(jié)合在一起。這樣，在材料合成時(shí)，工作壓力的動(dòng)態(tài)范圍很寬，達(dá)到10-10 Torr ~ 100 Torr。通過控制鍍膜壓力和溫度，可以合成一系列具有獨(dú)特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。

另外，PLD 是一種“數(shù)字”技術(shù)，在納米尺度上進(jìn)行工藝控制（A°/pulse）。

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