高壓固態(tài)軟啟動核心元器件

主要核心器件：可控硅（晶閘管），高壓真空接觸器，控制板等

真空接觸器主要技術(shù)參數(shù)：一般采用1臺真空接觸器，如果有特殊要求可采用2臺真空接觸器；

（1）真空接觸器參數(shù)及技術(shù)要求：額定電壓：12KV,額定電流：630A,額定峰值耐受電流值：15KA,短路開斷電流：4000A,短路關(guān)合電流：8000A,額定允許2/1周期過電流（峰值）：55KA,額定絕緣水平：1MIN工步耐受電壓（有效值）：42KV，雷電沖擊耐受電壓（全波，峰值）：75KV

（2）機械壽命：10000次，額定電流下的電氣壽命10000次；

（3）接觸器操作時間：合閘時間，小于30MS,分閘時間：小于45MS;

（4）真空接觸器應(yīng)符合國際及IEC有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)；

（5）真空接觸器國內(nèi)品牌選用成都國光，無錫藍(lán)虹，進(jìn)口品牌：ABB，施耐德，西門子等；

 可控硅采用國內(nèi)品牌：南車時代，進(jìn)口品牌：ABB品牌；10KV采用30支可控硅，源自平分均壓的原理，能有效保護可控硅的使用壽命，便于更換維護；

YMV高壓固態(tài)軟啟動柜技術(shù)特點及配置

   免維護：可控硅是無觸點的電子器件，不同于其他類型的產(chǎn)品需經(jīng)常維護液體和部件等，把機械壽命變?yōu)殡娮釉褂脡勖B續(xù)運行數(shù)年也無需停機維護。

   安裝使用簡單：ZDGR是一個完整的電機起動控制和保護系統(tǒng)。在加高壓運行前，允許使用低壓對整個系統(tǒng)進(jìn)行電氣測試。

   采用高壓功率晶閘管，組件式結(jié)構(gòu)、模塊化設(shè)計，便于安裝維護。

   具有多重過電壓吸收、保護技術(shù)

   內(nèi)置有直接起動容量的真空接觸器，在檢修過程中或出現(xiàn)故障時，電動機可以采用直接起動方式工作，保證生產(chǎn)的連續(xù)性。

    高壓固態(tài)軟啟動柜由湖北億信華聯(lián)機電設(shè)備制造有限公司專業(yè)生產(chǎn)，主回路采用晶閘管，通過逐步改變晶閘管的導(dǎo)通角來抬升電壓，完成啟動過程，這是軟啟動器的基本原理。目前在低壓軟啟動器市場，產(chǎn)品繁多，但是高壓軟啟動器產(chǎn)品還是比較少。

   高壓軟啟動器與低壓軟啟動器基本原理一樣，但是高壓軟啟動器與低壓軟啟動器相比，有些地方存在著其特殊性：

   1.高壓固態(tài)軟啟動柜在高壓環(huán)境下工作，各種電氣元器件的絕緣性能一定要好，電子芯片的抗干擾能力要強。高壓軟起動柜組成電氣柜時，電氣元器件的布局以及與高壓軟啟動器與其它電氣設(shè)備的連接也是非常重要的。

   2.高壓固態(tài)軟啟動柜必須有一個的控制核心，能對信號進(jìn)行及時和快速地處理。因此這個控制核心一般采用的DSP芯片，而不是低壓軟啟動器的普通單片機芯。低壓軟啟動器主回路由三組反并聯(lián)的晶閘管組成。而在高壓軟啟動器中，由于目前單只高壓晶閘管的耐壓能力不夠，所以必須由多個高壓晶閘管串聯(lián)進(jìn)行分壓。但是每個晶閘管的性能參數(shù)沒有完全一致。晶閘管參數(shù)的不一致，會導(dǎo)致晶閘管開通時間不一致，從而導(dǎo)致晶閘管的損壞。因此在晶閘管的選配上，必須保證每一相的晶閘管參數(shù)盡可能地一致，并且每一相晶閘管的RC濾波電路的元件參數(shù)盡可能一致。 高壓固態(tài)軟啟動柜的一個難點在晶閘管的觸發(fā)上?！魧＠纳崞髟O(shè)計：散熱器專利設(shè)計，大幅度提高了散熱器的散熱效率，保證了晶閘管的安全使用，延長了設(shè)備的使用壽命。由于主回路有多個晶閘管，每個晶閘管需要一塊觸發(fā)板來完成觸發(fā)。

在高壓環(huán)境下工作，各種電氣元件的絕緣性能一定要好，電子芯片的擾干擾能力一定要強，在各種器件組成電氣柜時，電氣元件的布局以及與高壓軟啟動器與其它電氣設(shè)備的連接也是非常重要的，億信華聯(lián)采用模塊化的結(jié)構(gòu)，每個單元模塊，每個元器件都有標(biāo)準(zhǔn)的安全距離，由檢測員對低壓器件，高壓器件進(jìn)行距離檢測，保證每臺設(shè)備在出廠前，出廠后都有質(zhì)量保證。2KV用于6000V-7200V起動柜．而15KV用于10-15KV的軟起動柜。