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ASEMI新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過(guò)金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導(dǎo)體通常為(Si)或(GaAs)。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容，提高反向擊穿電壓，同時(shí)又不使串聯(lián)電阻過(guò)大，通常是在N 襯底上外延一高阻N-薄層。

根據(jù)萬(wàn)用表示數(shù)分析，肖特基二極管測(cè)試結(jié)論如下（其中①②③為肖特基二極管自左而右的三只引腳編碼）:

一，根據(jù)①-②、③-②間均可測(cè)出正向電阻，判定被測(cè)管為共陰對(duì)管，①、③腳為兩個(gè)陽(yáng)極，②腳為公共陰極。

二，因①-②、③-②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無(wú)窮大，故具有單向?qū)щ娦浴?

三，內(nèi)部?jī)芍恍ぬ鼗O管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V、0.33V，均低于手冊(cè)中給定的允許值VFM(0.55V)。

ASEMI肖特基二極管與普通二極管之間有什么區(qū)別？

肖特基二極管（Schottky）的特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。

在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。

另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些。比較適用大電流低電壓場(chǎng)合。

在高電壓整流電路應(yīng)用時(shí)，還是應(yīng)該選用普通PN結(jié)整流二極管。希望ASEMI可以幫助你！

要問(wèn)肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的差別，以及為什么采購(gòu)生產(chǎn)等都喜歡使用肖特基二極管的原因，那就是頻率的高低不同，直接影響到應(yīng)用當(dāng)中的能源耗損，像ASEMI的肖特基二極管，其反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到5ns以?xún)?nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過(guò)去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率 。