磁控濺射鍍膜機(jī)

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目前國(guó)內(nèi)窗膜行業(yè)的批發(fā)商及終端店很多人都吃過(guò)磁控鍍銀膜氧化的虧，產(chǎn)品賣(mài)出后幾個(gè)月，開(kāi)始大面積氧化，需要賠償，甚至還失去了客戶。特別是NSN系列在13、14年出的問(wèn)題特別多，搞得很多人談磁控膜色變的地步。而在15、16年后，問(wèn)題得到解決。慢慢地就沒(méi)多少氧化問(wèn)題出現(xiàn)了。這也讓很多剛接觸磁控膜的人以為磁控膜都是鍍銀的膜，一說(shuō)磁控膜就問(wèn)會(huì)不會(huì)氧化。其實(shí)大可不必?fù)?dān)心，大部分的側(cè)檔都不是銀的，請(qǐng)放心使用。且這兩年的技術(shù)進(jìn)步，國(guó)內(nèi)各磁控工廠也找到了解決氧化的方法。其實(shí)在玻璃鍍膜行業(yè)，早就解決了氧化問(wèn)題，我記得早期的low-e玻璃在鍍膜后必須在24小時(shí)內(nèi)合成中空，不然就會(huì)氧化。當(dāng)時(shí)low-e與中空都是鍍膜廠做的，下邊玻璃加工廠根本無(wú)法介入，而現(xiàn)在鍍膜廠只需生產(chǎn)玻璃鍍膜原片。且玻璃原片爆露在空氣中可達(dá)6個(gè)月以上，都不會(huì)氧化。這樣中空玻璃，一些門(mén)窗廠，幕墻公司、小規(guī)模的玻璃深加工工廠，都可以生產(chǎn)low-e中空玻璃了，加上政府政策的支持與引導(dǎo)，大大的加快了low-e玻璃的發(fā)展與普及。做窗膜磁控濺射鍍膜的應(yīng)多去看看玻璃行業(yè)的low-e鍍膜，多些交流。畢竟生產(chǎn)原理是一樣的東西，技術(shù)是相通的。很多東西是可以套用的，low-e鍍膜得到了規(guī)?；陌l(fā)展，技術(shù)工藝已非常成熟了。窗膜磁控濺射鍍膜終是要與玻璃配套的，如何與玻璃上直接鍍膜做差異化發(fā)展，才是正道。就目前來(lái)說(shuō)，僅從隔熱性能、保溫性能上與玻璃對(duì)抗，是不可能有成本上優(yōu)勢(shì)的。但都是鍍膜，如何做差異化，我目前也只是拋磚引玉，只有大家一起開(kāi)動(dòng)腦袋了。鍍膜設(shè)備原理及工藝主要濺射方式：反應(yīng)濺射是在濺射的惰性氣體氣氛中,通入一定比例的反應(yīng)氣體,通常用作反應(yīng)氣體的主要是氧氣和氮?dú)狻?

磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶面金屬化合物的形成。

由金屬靶面通過(guò)反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過(guò)程中，化合物是在哪里形成的呢？但是，利用這種方法沉積薄膜的初期存在著濺射速率低，成膜速度慢，并且必須在裝置上設(shè)置高壓和通入惰性氣體等一系列問(wèn)題。由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其他結(jié)構(gòu)表面生成化合物是資源的浪費(fèi)，在靶表面生成化合物一開(kāi)始是提供化合物原子的源泉，到后來(lái)成為不斷提供更多化合物原子的障礙。

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靶zhong毒現(xiàn)象

(1)正離子堆積：靶zhong毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。（2）陽(yáng)極消失：靶zhong毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。磁控濺射鍍膜機(jī)工藝（1）技術(shù)方案磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線：（a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時(shí)候?yàn)榱说玫礁叩哪蛹兌?，也需要通入一定量反?yīng)氣體）。

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磁控濺射鍍膜技術(shù)

磁控濺射鍍膜技術(shù)由于其顯著的優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)成為制備薄膜的主要技術(shù)之一。非平衡磁控濺射改善了等離子體區(qū)域的分布，顯著提高了薄膜的質(zhì)量。中頻濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展有效克服了反應(yīng)濺射過(guò)程中出現(xiàn)的打弧現(xiàn)象，減少了薄膜的結(jié)構(gòu)缺陷，明顯提高了薄膜的沉積速率。磁控濺射鍍膜儀廠家?guī)懔私飧?！該設(shè)備的鍍膜室采用內(nèi)腔尺寸為6700mm×800mm×2060mm的箱式形狀,抽氣系統(tǒng)采用兩套K600擴(kuò)散泵機(jī)組,靶材采用德國(guó)Leybold公司生產(chǎn)的陶瓷靶,ITO薄膜基底是尺寸為1000mm×500mm×5mm的普通浮法玻璃。

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一，磁控濺射鍍膜技術(shù)正廣泛應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光學(xué)膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜。

磁控濺射技術(shù)發(fā)展過(guò)程中各項(xiàng)技術(shù)的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對(duì)等離子體進(jìn)行的控制等方面。通過(guò)對(duì)電磁場(chǎng)、溫度場(chǎng)和空間不同種類(lèi)粒子分布參數(shù)的控制，使膜層質(zhì)量和屬性滿足各行業(yè)的要求。

對(duì)于濺射鍍膜來(lái)說(shuō)，可以從真空系統(tǒng)，電磁場(chǎng)，氣體分布，熱系統(tǒng)等幾個(gè)方面進(jìn)行沒(méi)計(jì)，機(jī)械制造和控制貫穿整個(gè)工程設(shè)計(jì)過(guò)程。

濺射碰撞一般是研究帶電荷能離子與靶材表層粒子相互作用，并伴隨靶材原子及原子團(tuán)簇的產(chǎn)生的過(guò)程。

薄膜的屬性和基片的溫度、晶格常數(shù)、表面狀態(tài)和電磁場(chǎng)等有著密切關(guān)系。

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