微弧氧化電解液組成及工藝條件

　     微弧氧化電解液組成：K2SiO3 5～10g/L，Na2O2 4～6g/L，NaF 0.5～1g/L，CH3COONa 2～3g/L，Na3VO3 1～3g/L；溶液pH為11～13；溫度為20～50℃；嚴(yán)重制約了而上釉工藝可以在金屬表面涂上色彩并經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)，形成耐磨，結(jié)合力好的表面處理。陰極材料為不銹鋼板；電解方式為先將電壓迅速上升至300V，并保持5～10s，然后將陽極氧化電壓上升至450V，電解5～10min。

       兩步電解法，靠前步：將鋁基工件在200g/L的鉀水玻璃水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化5min；在微弧氧化過程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在,因此陶瓷層的形成過程非常復(fù)雜，至今還沒有一個(gè)合理的模型能完全描述陶瓷層的形成。第二步：將經(jīng)靠前步微弧氧化后的鋁基工件水洗后在70g/L的Na3P2O7水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化15min。陰極材料為：不銹鋼板；溶液溫度為20～度為20～50℃微弧氧化電源、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線

微弧氧化手電解質(zhì)溶液及其組分的影響

       微弧氧化電解液是獲到合格膜層的技術(shù)關(guān)鍵。不同的電解液成分及氧化工藝參數(shù)，所得膜層的性質(zhì)也不同。微弧氧化電解液多采用含有一定金屬或非金屬氧化物堿性鹽溶液（如硅酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽等），其在溶液中的存在形式較好是膠體狀態(tài)。溶液的pH范圍一般在9～13之間。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并ji活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。根據(jù)膜層性質(zhì)的需要，可添加一些有機(jī)或無機(jī)鹽類作為輔助添加劑。在相同的微弧電解電壓下，電解質(zhì)濃度越大，成膜速度就越快，溶液溫度上升越慢，反之，成膜速度較慢，溶液溫度上升較快。微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源

        微弧氧化現(xiàn)象及特點(diǎn)

       在陽極氧化過程中，當(dāng)鋁合金上施加的電壓超過一定范圍時(shí)，鋁合金表面的氧化膜就會被擊穿。隨著電壓的繼續(xù)不斷升高，氧化膜的表面會出現(xiàn)輝光放電，微弧和火花放電燈現(xiàn)象。輸出電流的容量視加工工件的表面積而定，一般要求6～10A/dm2。其中只有微弧區(qū)的溫度適中，既可使氧化膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，又不造成鋁合金材料表面的受損，微弧氧化就是利用這個(gè)溫度區(qū)對材料表面進(jìn)行改性處理的。微弧氧化技術(shù)特點(diǎn)、微弧氧化工藝、微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線

微弧氧化的優(yōu)勢

       微弧氧化是一種直接在有色金屬表面原位生長陶瓷層的新技術(shù)，微弧氧化技術(shù)是近十幾年在陽極氧化基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，但兩者在機(jī)理上、工藝上以及膜層性能上都有許多不同之處。所謂等離子體就是由大量的自由電子和離子組成，且在整體上表現(xiàn)為電中性的物質(zhì)，它被稱為固態(tài)、氣態(tài)和液態(tài)以外的第四態(tài)。處于熱等離子態(tài)的物質(zhì)具有強(qiáng)的導(dǎo)電性，且能量集中，溫度較高，是一個(gè)高熱、高溫的能源。第二步：將經(jīng)靠前步微弧氧化后的鋁基工件水洗后在70g/L的Na3P2O7水溶液中以1A/dm2的陽極電流氧化15min。與傳統(tǒng)的陽極氧化法相比，微弧氧化陶瓷膜與基體結(jié)合牢固，結(jié)構(gòu)致密，具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性、具有廣闊的應(yīng)用前景。