微弧氧化

       微弧氧化又稱(chēng)等離子體電解氧化、微等離子體氧化等，是通過(guò)電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦等金屬及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用，原位生長(zhǎng)出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。氧化膜的硬度一般能達(dá)到600-1500HV(膜層厚度20-50μm），耐磨性能優(yōu)于硬質(zhì)陽(yáng)極化膜及電鍍硬鉻。在微弧氧化過(guò)程中，化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時(shí)存在,因此陶瓷層的形成過(guò)程非常復(fù)雜，至今還沒(méi)有一個(gè)合理的模型能完全描述陶瓷層的形成。

溫度對(duì)微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽(yáng)極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。微弧氧化技術(shù)微弧氧化工藝將工作區(qū)域由普通陽(yáng)極氧化的法拉第區(qū)域引入到高壓放電區(qū)域，克服了硬質(zhì)陽(yáng)極氧化的缺陷，極大地提高了膜層的綜合性能。且溫度高，會(huì)形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過(guò)程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過(guò)程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源

微弧氧化技術(shù)特點(diǎn)

1、提高材料表面硬度微弧氧化膜層為表面多孔（孔徑為幾微米）、內(nèi)部致密的陶瓷層。 膜層硬度高（維氏硬度可由幾百至三千左右） 膜層與基體為冶金結(jié)合、厚度在幾微米至幾百微米之間。微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線

2、微弧氧化技術(shù)絕緣性好耐熱性高，可承受高溫使用，范圍根據(jù)基材熔點(diǎn)溫度 有良好的絕緣性能，絕緣電阻膜阻>100MΩ 絕緣耐壓>5000V/秒。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)工藝