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ASEMI肖特基二極管MBR40200PT，電性參數(shù)為40A200V,TO-247/3P封裝，芯片采用俄羅斯進口Mikron芯片，鐳射激光打標，不易退色；黑膠材質為進口環(huán)氧塑脂材料，包封穩(wěn)定性強，其引腳為無氧銅，抗彎曲、減少氧化、高導電性。

ASEMI肖特基二極管，每一道工序都在嚴格的監(jiān)控下生產(chǎn)制造。所生產(chǎn)出來的肖特基二極管產(chǎn)品，已過嚴格檢驗測試方可出廠，確保沒有不良品。因為ASEMI相信，客戶是懂產(chǎn)品的?？蛻粝嘈臕SEMI的品牌與品質，才會下單。

ASEMI低壓降肖特基二極管10V45

ASEMI低壓降肖特基二極管10V45，電性參數(shù)為10A 45V，是手機充電器品牌，ASEMI半導體采用的第三代芯片制造工藝，所產(chǎn)芯片性能穩(wěn)定，可靠性高，目前ASEMI半導體擁有先進的半導體生產(chǎn)工藝和臺灣健鼎一體化自動測試設備，產(chǎn)品合格率達99%。

ASEMI低壓降肖特基二極管作為未來高頻整流器件采納的典型代表，越來越多的被電源工程師門認可。那么問題了，為什么越來越多的客戶愿意選擇ASEMI品牌低壓降二極管呢？其實臺灣ASEMI品牌作為低壓降肖特基二極管行業(yè)旗幟。

ASEMI低壓降肖特基二極管SB10100LFCT

ASEMI低壓降肖特基二極管SB10100LFCT采用的是ITO-220AB全塑封裝，SB10100LFCT采用進口俄羅斯米克朗56mil雙芯片,高抗沖擊性能與一致性能提升40%以上。保證其參數(shù)可以達到:10A為正向整流，100V為反向耐電壓，150A峰值浪涌電流，0.54v正向壓降以及20UA漏電流。這款封裝很大優(yōu)勢在于絕緣性與阻燃性表現(xiàn)非常好。采用了環(huán)氧樹脂封裝材料，封裝強度高保障內部芯片、焊片、框架，不氧化不碎裂不漏電。