MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片；其高抗沖擊性能尤為顯著，框架材質(zhì)為100％純銅材料，黑膠部分采用復(fù)合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型；采用臺(tái)灣健鼎的一體化測(cè)試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié).在品質(zhì)工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動(dòng)生產(chǎn)線設(shè)備,全程工藝由電腦控制，模具更為精密完全杜絕毛刺，外觀光滑自然美觀。

UL為美國(guó)安規(guī)認(rèn)證，是世界上安全試驗(yàn)和鑒定機(jī)構(gòu)整流橋

代表安全檢檢產(chǎn)品運(yùn)作良率是世界上安全試驗(yàn)和鑒定機(jī)構(gòu)

激光打標(biāo)，解決油墨絲印易掉色問題，黑膠材質(zhì)是采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料

我司技術(shù)力量雄厚，可協(xié)同用戶研發(fā)、設(shè)計(jì)新產(chǎn)品，并可提供現(xiàn)場(chǎng)指導(dǎo)。

“誠(chéng)信”是強(qiáng)元芯屹立于行業(yè)之本，未來，我們?nèi)詫∈亍罢\(chéng)信，專業(yè)，務(wù)實(shí)”的服務(wù)理念，不斷完 善創(chuàng)新，努力為客戶和公司同仁共創(chuàng)雙嬴。

編輯：DD

在外加電壓為零時(shí)，電子的擴(kuò)散電流與反向的漂移電流相等，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。在加正向偏壓(即金屬加正電壓，半導(dǎo)體加負(fù)電壓)時(shí)，自建場(chǎng)削弱，半導(dǎo)體一側(cè)勢(shì)壘降低，于是形成從金屬到半導(dǎo)體的正向電流。當(dāng)加反向偏壓時(shí)，自建場(chǎng)增強(qiáng)，勢(shì)壘高度增加，形成由半導(dǎo)體到金屬的較小反向電流。因此，SBD與PN結(jié)二極管一樣，是一種具有單向?qū)щ娦缘姆蔷€性器件。

ASEMI實(shí)用案例，肖特基二極管的一個(gè)典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管 BJT 的開關(guān)電路里面，通過在 BJT 上連接 Shockley 二極管來箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開關(guān)速度。這種方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型數(shù)字 IC 的 TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。

SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢(shì)壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢(shì)壘高度，這是相矛盾的。因此，對(duì)勢(shì)壘金屬必須折衷考慮，故對(duì)其選擇顯得十分重要。對(duì)N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢(shì)壘金屬。由于Ni/SiC的勢(shì)壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。