IGBT的驅(qū)動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。目前主流恒流源驅(qū)動芯片移位時鐘頻率一般都在15-25MHz以上。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導通區(qū)。其功能與74HC595相似，只是TB62726是16位移位鎖存器，并帶輸出電流調(diào)整功能，但在并行輸出口上不會出現(xiàn)高電平，只有高阻狀態(tài)和低電平狀態(tài)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

?數(shù)碼管驅(qū)動電路中三極管

三極管是用來做驅(qū)動的作用，

因為在一般的控制器輸出驅(qū)動能力較弱，采用三極管進行放大電流，

使得能夠驅(qū)動能力提高。

當然如果在數(shù)碼管可接受的范圍內(nèi)，電流越大，數(shù)碼管越亮。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。

用什么直流電機驅(qū)動芯片（二）

2 ML4428原理圖及功能實現(xiàn)

ML4428電機控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(BLDC)提供起動和調(diào)速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝，它的內(nèi)部框圖如圖1所示〔1〕，ML4428使用鎖相環(huán)技術(shù)，從電機線圈檢測反電勢，確定換向次序；采用專門的反電勢檢測技術(shù)，可實現(xiàn)三相無刷直流換向且不受PWM噪聲及電機緩沖電路的影響；采用了檢查轉(zhuǎn)子位置并準確對電機加速的起動技術(shù)，確保起動時電機不會反轉(zhuǎn)并可縮短起動時間。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。

2.1 反電勢檢測信號的獲得

無位置傳感器無刷直流電動機的控制與有位置傳感器無刷直流電機控制的根本區(qū)別就是利用反電勢的波形尋找換向點。當永磁無刷直流電動機運轉(zhuǎn)時，各相繞組的反電動勢(EMF)與轉(zhuǎn)子位置密切相關(guān)。MOSFET在數(shù)字電路上應用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。由于各相繞組是交替導通工作的，在某相不導通的時刻，其反電動勢波形的某些特殊點，可代替轉(zhuǎn)子位置傳感器的功能，得到所需要的信息。

由于對于單相反電動勢波形圖，反電動勢過零點30°處對應繞組的換向信號，找出反電動勢過零點，即反電動勢檢測的任務〔2〕?；谶@一原理，在該芯片內(nèi)設(shè)計了一個獨特的反電勢檢測電路(見圖2)，由于有了中點模擬電路，不需從電機三相繞組中引出中線

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