氮化鈦的結(jié)構(gòu)及性能

TiN具有典型的NaCl型結(jié)構(gòu)，屬面心立方點(diǎn)陣，面心立方的頂部是氮原子，鈦原子位于面心立方的(1/2,0,0)空間位置。TiN是非化學(xué)計(jì)量化合物，其穩(wěn)定的組成范圍為TiN0.6~TiN1.16，氮的含量可以在一定的范圍內(nèi)變化而不引起TiN結(jié)構(gòu)的變化。TiN粉末一般呈黃褐色，超細(xì)TiN粉末呈黑色，而TiN晶體呈金黃色。TiN的晶格常數(shù)為a=4.23 nm，TiC的晶格常數(shù)為a=4.238 nm，TiO的晶格常數(shù)為a=4.15 nm，這三種物質(zhì)的晶格參數(shù)非常接近，所以TiN分子中的氮原子可以被氧、碳原子以任意比取代形成固溶體，氮化鈦的理化性質(zhì)由氮元素的含量來決定，當(dāng)?shù)睾繙p少時(shí)，氮化鈦的晶格參數(shù)反而增大，硬度也會(huì)有顯微的增大，但氮化鈦的抗震性隨之降低。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

PVD涂層（離子涂層）技術(shù)的主要特征和優(yōu)點(diǎn)與真空蒸發(fā)涂層和真空濺射涂層相比，PVD離子涂層具有以下優(yōu)點(diǎn)：1.薄膜層與工件表面具有很強(qiáng)的結(jié)合力，更耐用，更耐磨。2.成膜速度快，生產(chǎn)效率gao。3.各種各樣的可涂層。PVD技術(shù)的發(fā)展PVD技術(shù)出現(xiàn)于20世紀(jì)70年代后期，制備的薄膜具有硬度高，摩擦因數(shù)低，耐磨性好和化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)。在高速鋼切削刀具領(lǐng)域的成功應(yīng)用引起了全球制造業(yè)的極大關(guān)注。在開發(fā)高xing能和高可靠性的涂層設(shè)備時(shí)，他們還在硬質(zhì)合金和陶瓷切削刀具中進(jìn)行了更深入的涂層應(yīng)用研究。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制

在室溫(25℃)和氣體壓力為p(Pa)的條件下，殘余氣體分子的平均自由程為λ=6.65×10-1/pcm(2)由上式計(jì)算可知，在室溫下，p=10-2Pa時(shí)，λ=66.5cm，即一個(gè)分子在與其它分子發(fā)生兩次碰撞之間約飛行66.5cm。碰撞圖2是蒸發(fā)粒子在飛向基片途中發(fā)生碰撞的比例與氣體分子的實(shí)際路程對(duì)平均自由程之比值的曲線。從圖中可以看出，當(dāng)λ=L時(shí)，有63%的蒸發(fā)分子會(huì)發(fā)生碰撞。如果平均自由程增加10倍，則散射的粒子數(shù)減少到9%，因此，蒸發(fā)粒子的平均自由程必須遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于蒸距才能避免蒸發(fā)粒子在向基片遷移過程中與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，從而有效地減少蒸發(fā)粒子的散射現(xiàn)象。目前常用的蒸發(fā)鍍膜機(jī)的蒸距均不大于50cm。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制