3.3主要技術要求

3.3.1 動態(tài)參數測試單元技術要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；

5)震動：抗能力按7級設防，地面抗震動能力≤0.5g；

6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

產品主要有電力半導體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設備，電氣自動化設備，電冶、電化學裝置，電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅動板等。等領域，使半導體開發(fā)技術人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術，持續(xù)在突破。

靜態(tài)及動態(tài)測試系統(tǒng) 技術規(guī)范 供貨范圍一覽表 序號 名稱 型號 單位 數量 1 半導體靜態(tài)及動態(tài)測試系統(tǒng) HUSTEC-2010 套 1 1范圍 本技術規(guī)范提出的是限度的要求，并未對所有技術細節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關標準和規(guī)范的條文，供貨方應提供符合工業(yè)標準和本技術規(guī)范的產品。本技術規(guī)范所使用的標準如遇與供貨方所執(zhí)行的標準不一致時，應按較高標準執(zhí)行。半導體元器件檢測中心——應用本公司測試系統(tǒng)可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經濟效益。

IGBT靜態(tài)參數測試部分主要材料技術要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標準測試電路） ?滿足表格9測試參數要求 ?低壓開關電源要求：Vcc=12V (針對上圖電路) ?可調電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測試電路 ?3-2002印制板的設計和使用 GB/T9969-2008工業(yè)產品使用說明書總則 GB/T6988-2008電氣技術用文件的編制 GB/T3859。高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調 ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V