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刻蝕過程
普通的刻蝕過程大致如下:先在表面涂敷一層光致抗蝕劑,然后透過掩模對抗蝕劑層進行選擇性曝光,由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,經(jīng)過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形,以此為掩模就可對襯底表面進行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層,則選擇腐蝕以后,圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。
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離子束刻蝕速率
創(chuàng)世威納——專業(yè)離子束刻蝕機產(chǎn)品供應商,我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?
刻蝕速率是指單位時間內(nèi)離子從材料表面刻蝕去除的材料厚度,單位通常為A/minnm/min.刻蝕速率與諸多因素有關,包括離子能量、束流密度、離子入射方向、材料溫度及成分、氣體與材料化學反應狀態(tài)及速率、刻蝕生成物、物理與化學功能強度配比、材料種類、電子中和程度等。
離子束刻蝕機
加工
離子束刻蝕可達到很高的分辨率,適合刻蝕精細圖形。離子束加工小孔的優(yōu)點是孔壁光滑,鄰近區(qū)域不產(chǎn)生應力和損傷能加_工出任意形狀的小孔,且孔形狀只取決于掩模的孔形。
加工線寬為納米級的窄槽是超精微加工的需要。如某零件要求在10nm的碳膜上,用電子束蒸鍍10nm的金一鋁(60/40)膜。
首先將樣品置于真空系統(tǒng)中,其表面自然形成---種污染抗蝕劑掩模,用電子束曝光顯影后形成線寬為8nm的圖形,然后用ya離子束刻蝕,離子束流密度為0.1mA/cm, 離子能量是1keV;另一種是在20nm厚的金一鈀膜上刻出線寬為8nm的圖形、深寬比提高到2.5:10。 由此可見離子束加工可達到很高的精度。
石英晶體諧振器制作
石英晶體的諧振頻率與其厚度有關。用機械研磨和拋光致薄的晶體,可制作低頻器件,但頻率超過20MHz時, 上述工藝已不適用因為極薄的晶片已不能承受機械應力。采用離子束拋光,可以不受此限制。石英晶體諧振器的金屬引線要求重量輕、低電阻,通常用鋁沉積在晶體表面溝槽中,以高電導率鋁作引線電極。用離子束濺射加工晶體_上的溝槽是有效的方法。