磁控濺射

磁控濺射靶材的利用率可成為磁控濺射源的工程設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝成本核算的一個(gè)參數(shù)。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個(gè)腔體，既會(huì)造成靶材浪費(fèi)，又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。目前沒有見到對(duì)磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報(bào)道，而從理論上對(duì)磁控濺射靶材利用率近似計(jì)算的探討具有實(shí)際意義。對(duì)于靜態(tài)直冷矩形平面靶，即靶材與磁體之間無(wú)相對(duì)運(yùn)動(dòng)且靶材直接與冷卻水接觸的靶，?靶材利用率數(shù)據(jù)多在20%~30%左右(間冷靶相對(duì)要高一些，但其被刻蝕過程與直冷靶相同，不作專門討論)，且多為估計(jì)值。為了提高靶材利用率，研究出來(lái)了不同形式的動(dòng)態(tài)靶，其中以旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)圓柱靶工業(yè)上被廣泛應(yīng)用，據(jù)稱這種靶材的利用率可超過70%，但缺少足夠數(shù)據(jù)或理論證明。常見的磁控濺射靶材從幾何形狀上看有三種類型：矩形平面、圓形平面和圓柱管? 如何提高利用率是真空磁控濺射鍍膜行業(yè)的重點(diǎn),圓柱管靶利用高,但在有些產(chǎn)業(yè)是不適用的,如何提高靶材利用,請(qǐng)到此一看的朋友,在下面留下你的見解,提供好的方法。

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磁控濺射技術(shù)鍍膜

磁控濺射技術(shù)鍍膜是一種重要的物理的氣相沉積鍍膜技術(shù)，這種工藝可工業(yè)化批量生產(chǎn)。本文重點(diǎn)探討了磁控濺射在光學(xué)鍍膜中的應(yīng)用，包括膜層設(shè)計(jì)和鍍膜工藝。

光學(xué)鍍膜設(shè)計(jì)

（1）減反射膜

減反射也稱增透膜，這種膜主要鍍?cè)谕该鞯驼凵渎驶咨希绮Ａ襄儨p反射膜，常見的膜層結(jié)構(gòu)采用高、低折射率膜層疊加而成

（2）彩色鍍膜 彩色鍍膜主要也是在玻璃等透明基底上鍍膜，其膜層材料和結(jié)構(gòu)類似減反射鍍膜。這種玻璃在可見光下透射和反射的顏色不同。

3）漸變反射膜 漸變反射膜是一種在不同角度觀察，反射的顏色不同的膜層。這種膜層可以鍍?cè)诓Ａ?，也可以鍍?cè)诮饘倩住?

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我國(guó)真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

當(dāng)前我國(guó)真空鍍膜設(shè)備行業(yè)等傳統(tǒng)制造業(yè)產(chǎn)能過剩已經(jīng)顯現(xiàn)，倒逼效應(yīng)顯著，國(guó)家大力發(fā)展環(huán)保產(chǎn)業(yè)，對(duì)傳統(tǒng)電鍍行業(yè)予以取締或轉(zhuǎn)型或限產(chǎn)，這正是離子鍍膜行業(yè)發(fā)展的大好時(shí)機(jī)。(或雙門蒸發(fā)、磁控兩用機(jī))公司業(yè)務(wù)范圍真空鍍膜成套設(shè)備與技術(shù)，真空工程用各種泵、閥、真空計(jì)、油、脂、密封件，真空鍍膜材料、涂料、金屬及合金制品。真空鍍膜的高性價(jià)比以及傳統(tǒng)電鍍對(duì)環(huán)境的污染迫使真空鍍膜成為了主流，各種類型各種鍍膜工藝的真空鍍膜設(shè)備不斷增加。

創(chuàng)世威納以誠(chéng)信為首,服務(wù)至上為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售離子束刻蝕機(jī),公司擁有強(qiáng)大的銷售團(tuán)隊(duì)和經(jīng)營(yíng)理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！

濺射鍍膜

由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動(dòng)能后飛濺出來(lái)的，因而濺射出來(lái)的原子能量高，有利于提高沉積時(shí)原子的擴(kuò)散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強(qiáng)的附著力。該設(shè)備的鍍膜室采用內(nèi)腔尺寸為6700mm×800mm×2060mm的箱式形狀,抽氣系統(tǒng)采用兩套K600擴(kuò)散泵機(jī)組,靶材采用德國(guó)Leybold公司生產(chǎn)的陶瓷靶,ITO薄膜基底是尺寸為1000mm×500mm×5mm的普通浮法玻璃。濺射時(shí)，氣體被電離之后，氣體離子在電場(chǎng)作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下，產(chǎn)生的離子數(shù)目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產(chǎn)生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射，影響制膜質(zhì)量。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個(gè)腔體，既會(huì)造成靶材浪費(fèi)，又會(huì)在制備多層膜時(shí)造成各層的污染。