濕法刻蝕

濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優(yōu)點是選擇性好、重復性好、生產(chǎn)、設(shè)備簡單、成本低。

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刻蝕工藝過程

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等離子體刻蝕工藝包括以下六個步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學反應的元素； 擴散： 這些元素擴散并吸附到硅片表面； 表面擴散：到達表面后， 四處移動； 反應： 與硅片表面的膜發(fā)生反應； 解吸： 反應的生成物解吸， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應腔。

離子束刻蝕機

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來，從而實現(xiàn)刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。

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