磁控濺射設(shè)備的主要用途

（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標(biāo)等。（3） 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機（4）化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。（5） 在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃目前廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。（6）在機械加工行業(yè)中，表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域，還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。也就是說,采用合金靶磁控濺射時,工藝參數(shù)的窗口很窄且極不穩(wěn)定。

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磁控濺射鍍膜機

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ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO 薄膜時,由于濺射過程中作為反應(yīng)氣體的氧會和靶發(fā)生很強的電化學(xué)反應(yīng),靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶zhong毒”) ,以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出的ITO 膜。也就是說,采用合金靶磁控濺射時,工藝參數(shù)的窗口很窄且極不穩(wěn)定。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學(xué)配比穩(wěn)定地成膜,故無zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。但這不等于說陶瓷靶解決了所有的問題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)的影響,不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠。因此,開展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化研究很有意義。烘烤的目的是徹底清除基片表面殘余的水份,并使基片加熱到一定的溫度,很多材質(zhì)在較高的基片溫度下可以增強結(jié)合力和膜層的致密性。

磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)的特點

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(1)工件變形小 由于工件表面均勻覆蓋輝光，溫度一致性好，可以通過控制功率輸出來實現(xiàn)均勻升溫。另陰極濺射抵消了滲人元素引起的尺寸擴一大

(2) 滲層的組織和結(jié)構(gòu)易于控制 通過調(diào)整工藝參數(shù)，可得到單相或多相的滲層組織

(3)工件無須附加清理 陰極濺射可以有效去除氧化膜，凈化工件表面，同時真空處理無新生氧化膜，這些都減少了附加設(shè)備和工時，降低了成本。

(4) 防滲方便 不需滲的地方可簡單地遮蔽起來，對環(huán)境無公害，無污染，勞動條件好。

(5) 經(jīng)濟效益高，能耗小 雖然初始設(shè)備投資較大，但工藝成本極低，是一種廉價的工程技術(shù)方法。此外，離子轟擊滲擴技術(shù)易實現(xiàn)工藝過程或滲層質(zhì)量的計算機控制，質(zhì)量重復(fù)性好，可操作性強。