磁控濺射鍍膜機工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時候為了得到更高的膜層純度，也需要通入一定量反應氣體）； （b）反應濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應氣體的混合氣體，進行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應氣體離子源，將膜層進行氧化或者氮化等。ITO薄膜的制備方法很多,如噴涂、蒸發(fā)、射頻濺射和磁控濺射等。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學膜時，都會存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學上的應用。

（2）新型反應濺射技術(shù) 筆者對現(xiàn)有反應濺射技術(shù)方案進行了改進，開發(fā)出新的反應濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問題，同時膜層的純度達到光學級別要求。表2.1是采用新型反應濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對比情況。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶面金屬化合物的形成。

由金屬靶面通過反應濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學反應生成化合物原子，通常是放熱反應，反應生成熱必須有傳導出去的途徑，否則，該化學反應無法繼續(xù)進行。在真空條件下氣體之間不可能進行熱傳導，所以，化學反應必須在一個固體表面進行。1-10Pa的Ar或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負高壓或13。反應濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進行。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其他結(jié)構(gòu)表面生成化合物是資源的浪費，在靶表面生成化合物一開始是提供化合物原子的源泉，到后來成為不斷提供更多化合物原子的障礙。

我國真空鍍膜機行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機械的性能要求。磁控濺射鍍膜機的工作原理控濺射原理電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。國內(nèi)真空離子鍍膜機經(jīng)過幾十年的發(fā)展，相對于國外高1端鍍膜設(shè)備而言，在自動化程度與技術(shù)上取得了一定的進步，但在鍍膜產(chǎn)品穩(wěn)定性和準確性方面尚需提升，高1端設(shè)備仍依賴進口。同時多弧離子鍍膜機低端產(chǎn)品市場存在供大于求的情況，價格競爭較為激烈。

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