干法刻蝕

干法刻蝕種類很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現(xiàn)自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。缺點是：成本高，設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式很多，一般有：濺射與離子束銑蝕， 等離子刻蝕（Plasma Etching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕（RIE）。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。

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刻蝕工藝過程

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等離子體刻蝕工藝包括以下六個步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學反應的元素； 擴散： 這些元素擴散并吸附到硅片表面； 表面擴散：到達表面后， 四處移動； 反應： 與硅片表面的膜發(fā)生反應； 解吸： 反應的生成物解吸， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應腔。

反應離子刻蝕的原理

在反應離子刻蝕中，氣體放電產生的等離子體中有大量化學活性的氣體離子，這些離子與材料表面相互作用導致表面原子產生化學反應，生成可揮發(fā)產物。這些揮發(fā)產物隨真空抽氣系統(tǒng)被排走。隨著材料表層的“反應-剝離-排放”的周期循環(huán)，材料被逐層刻蝕到特定深度。除了表面化學反應外，帶能量的離子轟擊材料表面也會使表面原子濺射，產生一定的刻蝕作用。所以，反應離子刻蝕包括物理和化學刻蝕兩者的結合。

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離子束刻蝕機

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來，從而實現(xiàn)刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。

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