3、技術(shù)指標(biāo) * 3.1 機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類(lèi)型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機(jī)臺(tái)可測(cè)IGBT項(xiàng)目 及測(cè)試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測(cè)5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測(cè)試項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；150～3300VIc集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A。

?航空、電子信息等領(lǐng)域——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?機(jī)車(chē)、汽車(chē)、船舶控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)

?現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?水力、電力控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新

?型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，

?以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。

?優(yōu)勢(shì)行業(yè)：電力設(shè)備、地鐵、鐵路動(dòng)力車(chē)組和運(yùn)用大功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造的行業(yè)。

7、測(cè)量配置

7.1 示波器：美國(guó)泰克新5系混合信號(hào)示波器（MSO），帶寬500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速電流探頭；

7.3 高壓差分探頭。

8、測(cè)試參數(shù)應(yīng)包括

8.1 開(kāi)通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；

8.2 關(guān)斷：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；

8.3 反向恢復(fù) (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；

8.4 柵電荷：采用恒流驅(qū)動(dòng)，電流可調(diào)范圍：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模塊)測(cè)試：0-20KΩ；

8.8 主要測(cè)試參數(shù)精度偏差 ：< 3 % 。

9）尖峰抑制電容 用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)程中的IGBT器件電壓過(guò)沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 11）動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 用于防止測(cè)試過(guò)程中的過(guò)電壓。 ?反向電壓 8000V(2只串聯(lián)) ?-di/dt大于2000A/μs ?通態(tài)電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 12）安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯(lián)) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通態(tài)電流 1200A ?01～50mA集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V。壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復(fù)時(shí)間 小于2μS ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%