化學氣相沉積的應用

現代科學和技術需要使用大量功能各異的無機新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地摻入某種雜質形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產品。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發(fā)生初級反應，使得反應氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團的混合物。因此，無機新材料的合成就成為現代材料科學中的主要課題。

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化學氣相沉積技術類型介紹

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化學氣相沉積裝置主要的元件就是反應器。按照反應器結構上的差別，我們可以把化學氣相沉積技術分成開管/封管氣流法兩種類型：

1 封管法這種反應方式是將一定量的反應物質和集體放置于反應器的兩邊，將反應器中抽成真空， 再向其中注入部分輸運氣體，然后再次密封， 再控制反應器兩端的溫度使其有一定差別，它的優(yōu)點是：①能有效夠避免外部污染；②無須持續(xù)抽氣就能使是內部保持真空。

2 開管法這種制備方法的特點是反應氣體混合物能夠隨時補充。廢氣也可以及時排出反應裝置。以加熱方法為區(qū)分，開管氣流法應分為熱壁和冷壁兩種。前者的加熱會讓整個沉積室壁都會因此變熱，所以管壁上同樣會發(fā)生沉積。常見的化學氣相沉積反應有:熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。冷壁式加熱一般會使用感應加熱、通電加熱以及紅外加熱等等。

等離子體化學氣相沉積

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態(tài)膜的技術。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發(fā)并實現化學氣相沉積的技術。6x10-4Pa(經烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)。