離子屬刻蝕機的注意事項

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#.在設(shè)備工作時,禁止扶、靠設(shè)備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發(fā)生意外

#.高頻電源實際使用功率不能超過較大限制#.檢查設(shè)備時，必須關(guān)機后切斷電源

#. 工作場地必須保持清潔、干燥，設(shè)備上及設(shè)備周圍不得放置無關(guān)物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長期停放時注意防潮，拆除電源進(jìn)線，每隔3-5天開一次機，保證反應(yīng)室真空以免被污 染

#.設(shè)備停機、過夜也要保持反應(yīng)室真空，如停機較長時間后再進(jìn)行刻蝕工藝，需先進(jìn)行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

刻蝕

刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

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離子束刻蝕

離子束刻蝕是利用具有一定能量的離子轟擊材料表面，使材料原子發(fā)生濺射，從而達(dá)到刻蝕目的.把Ar、Kr或Xe之類惰性氣體充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進(jìn)入工作室，射向固體表面撞擊固體表面原子，使材料原子發(fā)生濺射，達(dá)到刻蝕目的，屬純物理過程。