氧化鋅（ZnO）晶體有三種結(jié)構(gòu)∶六邊纖鋅礦結(jié)構(gòu)、立方閃鋅礦結(jié)構(gòu),以及比較罕見的氯化鈉式八面體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦結(jié)構(gòu)在三者中穩(wěn)定性zui高,因而zui常見。立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)可由逐漸在表面生成氧化鋅的方式獲得。在兩種晶體中,每個(gè)鋅或氧原子都與相鄰原子組成以其為中心的正四面體結(jié)構(gòu)。八面體結(jié)構(gòu)則只曾在100億帕斯卡的高壓條件下被觀察到。

氧化鋅（ZnO）晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。ZnO晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分,又有共價(jià)鍵的成分,兩種成分的含量差不多,因而使得ZnO晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強(qiáng),導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變。氧化鋅（ZnO）單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(Eg 3. 37eV)大。此外，與其它半導(dǎo)體材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子結(jié)合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待將其用作的發(fā)光器件材料。

氧化鋅還是良好的光催化材料,可用于環(huán)境中的生物降解,光觸媒殺菌等。為了更好地研究氧化鋅的導(dǎo)體性能,有必要合成高質(zhì)量的氧化鋅單晶。常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結(jié)構(gòu),點(diǎn)群為6mm,空間群為z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結(jié)于正電荷Z離子,(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。

目前,生長氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長高質(zhì)量、大尺寸ZnO單晶體的zui有效的方法。基于氧化鋅（ZnO）的紫外激光器的實(shí)現(xiàn)掀起了對(duì)于傳統(tǒng)的纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體氧化鋅（ZnO）材料的新的研究熱潮.氧化鋅（ZnO）以其優(yōu)良的綜合性能將成為下一代光電子材料,因此對(duì)氧化鋅（ZnO）單晶的研究有重要的理論和實(shí)踐意義。