同方迪一分享瓷片電容的讀數(shù)方法

瓷片電容的讀數(shù)方法和電阻的讀數(shù)方法基本相同，分色標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法和直標(biāo)法3種。瓷片電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000納法（nF），1納法=1000皮法（pF）。

容量大的瓷片電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如10μF/16V;

容量小的瓷片電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示;

字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF;

數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個數(shù)，它們的單位都是pF。

例如：102表示標(biāo)稱容量為1000pF。

211表示標(biāo)稱容量為210pF。

214表示標(biāo)稱容量為21x10（4）pF。

在這種表示法中有一個特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用“9”表示時，是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來表示容量大小。例如：219表示標(biāo)稱容量為21x（10-1）pF=2.2pF。

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹

一:潮濕對電參數(shù)惡化的影響?？諝庵袦囟冗^高， 會使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降, 對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說，水分會滲透到電容器的介質(zhì)內(nèi)部使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫，高濕環(huán)境對瓷片電容的損壞影響較大。

二:銀離子的遷移。無機介質(zhì)電容器多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作，滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。產(chǎn)生氧化反應(yīng)，銀離子與氫氧根離子結(jié)合產(chǎn)生氫氧化銀。由于電極反應(yīng)，銀離子遷移不僅發(fā)生在無機介質(zhì)表面，還擴散到無機介質(zhì)內(nèi)部，引起漏電流增大，嚴重時會使兩個銀電極之間完全短路，導(dǎo)致高壓瓷片電容損壞或擊穿。

三:有的高壓瓷片電容，在運用測試操作時，電容器投入時的電流過大，無任何無電壓保護措施，也無串聯(lián)電抗器，使電容器過熱，絕緣降低或損壞，如果操作頻繁，也會影響陶瓷電容損壞，甚至炸掉。

四:從單顆瓷片電容分析,電容碰到了強大的電流，導(dǎo)致內(nèi)部材料發(fā)熱，散熱不及時，造成熱擊穿損壞。

選購瓷片電容的技巧

選購瓷片電容的技巧

如何選購瓷片電容呢，教大家一些方法，希望可以幫助到你。

在購買瓷片電容時要先考慮的是耐壓問題而不是容量，如果一個瓷片電容的兩端的電壓超過了它的額定電壓，產(chǎn)品就會被擊穿損壞，導(dǎo)致失效，甚至連累更多的元器件，所以考慮耐壓問題非常重要。

瓷片電容的電壓分檔為300V,400V,500V,1KV,2KV等，瓷片電容的耐壓分檔為1800V,4000V等，在耐壓問題解決之后在選擇產(chǎn)品的容量，瓷片電容容量單位一般用微法(uf)表示如1uF=1微法，大多數(shù)電容的大小為0.1至0.01μF左右。1微法(μF)=1000納法(nF)=1000000皮法(pF)，在選購時一定要有足夠的容量來進行使用。