隔離變壓器特點(diǎn)

三相隔離變壓器特點(diǎn)：

1. 具有電壓變換功能（如：△/Yo或Yo/ △接法）

2. 有濾波抗干擾功能（如：可以去除三次諧波干擾功能?？梢匀コ鏀?shù)次諧波干擾.）

3. 能有效地抑制從電源線引人的騷擾諧波和雷擊電磁脈沖對(duì)本系統(tǒng)產(chǎn)生干擾

4. 能有效地抑制由本系統(tǒng)電子設(shè)備發(fā)出的騷擾諧波進(jìn)入電源配電網(wǎng)絡(luò)對(duì)其他設(shè)備(裝置和系統(tǒng))產(chǎn)生干擾

5. 能從根本上防止由于、地電位擾動(dòng)所引起的系統(tǒng)工作失常、數(shù)據(jù)丟失或出錯(cuò)

6. 能有效地防止建筑物防雷裝置接閃時(shí)因作為參考地的鋼筋電位急劇升高導(dǎo)致系統(tǒng)中硬件設(shè)備遭反擊擊毀

7. 隔離變壓器之所以在施工中被大量應(yīng)用，原因是隔離變壓器是一種1比1的變壓器。脈沖變壓器的輸入和一般的變壓器沒(méi)有什么區(qū)別都是220V的單相電，在次級(jí)端可以根據(jù)客戶需求套上不同大小的銅排或者是鋁排，來(lái)達(dá)到所需求的電流一般電流會(huì)達(dá)到1000A-8000A不等，更具變壓器的容量4。初級(jí)220v，次級(jí)也是220v。我們用的交流電一根線和大地相連。另一根線與大地之間有220V的電位差。人接觸會(huì)觸電。隔離變壓器的次級(jí)不與大地相連，它的任意兩線與大地之間沒(méi)有電位差。人接觸任意一條線不會(huì)觸電，所以比較安全。隔離變壓器常用在有電子管和工作電壓高的電子儀器上，如電子管擴(kuò)音機(jī)，示波器等，也可用于維修電源

8. 隔離變壓器在交流電源輸入端的特點(diǎn):

 a：若電網(wǎng)三次諧波和干擾信號(hào)比較嚴(yán)重，采用隔離變壓器，可以去掉三次諧波和減少干擾信號(hào)。

b: 采用隔離變壓器可以產(chǎn)生新的中性線，避免由于電網(wǎng)中性線不良造成設(shè)備運(yùn)行不正常。

c: 非線性負(fù)載引起的電流波形畸變（如三次諧波）可被隔離而不污染電網(wǎng)。

9. 隔離變壓器在交流電源輸出端的特點(diǎn)：

a：防止非線性負(fù)載的電流畸變影響到交流電源的正常工作及對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生污染，起到凈化電網(wǎng)的作用。

b: 在隔離變壓器輸入端采樣,使得非線性負(fù)載電流的畸變不影響取樣的準(zhǔn)確性，得到能反應(yīng)實(shí)際情況的控制信號(hào)。

c: 若負(fù)載不平衡，也不影響穩(wěn)壓電源的正常工作。

10. 三相隔離變壓器原理、結(jié)構(gòu)、優(yōu)點(diǎn)

隔離變壓器采用三相雙繞組結(jié)構(gòu)，具有防雷擊、防干擾特性。原副邊每個(gè)繞組分成兩個(gè)線圈，該兩個(gè)線圈是用兩層互相絕緣的金屬箔并繞起來(lái)的。于是該兩線圈之間就存在電容C（所謂容性隔離變壓器）。然后可根據(jù)需要采取以下兩種接線方式任意組合:

①：接在三相四線制系統(tǒng)一側(cè)的繞組宜接成Z形接法。

②: 接在三相三線制系統(tǒng)一側(cè)的繞組宜接成六角形接法。

    法拉第在1831年8月29日發(fā)明了一個(gè)“電感環(huán)”，稱為“法拉第感應(yīng)線圈”，實(shí)際上是世界上只變壓器雛形。根據(jù)傳送功率的大小，電源變壓器可以分為幾檔：10kVA以上為大功率，10kVA～0。但法拉第只是用它來(lái)示范電磁感應(yīng)原理，并沒(méi)有考慮過(guò)它可以有實(shí)際的用途。法拉第感應(yīng)線圈1881年，路森·戈拉爾（Lucien Gaulard）和約翰·狄克遜·吉布斯（John Dixon Gibbs）在倫敦展示一種稱為“二次手發(fā)電機(jī)”的設(shè)備，然后把這項(xiàng)技術(shù)賣給了美國(guó)西屋公司， 這可能是個(gè)實(shí)用的電力變壓器，但并不是早的變壓器。

    電源變壓器使用的鐵芯材料主要有鐵片、低硅片，高硅片，的鋼片中加入硅能降低鋼片的導(dǎo)電性，增加電阻率，它可減少渦流，使其損耗減少。變壓器變壓原理首先由法拉第發(fā)現(xiàn)，但是直到十九世紀(jì)80年代才開(kāi)始實(shí)際應(yīng)用。我們通常稱為加了硅的鋼片為硅鋼片，電源變壓器的質(zhì)量所用的硅鋼片的質(zhì)量有很大的關(guān)系，硅鋼片的質(zhì)量通常用磁通密度B來(lái)表示，一般黑鐵片的B值為6000-8000、低硅片為9000-11000，高硅片為12000-16000。