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發(fā)布時間:2020-10-30 09:23  







蒸發(fā)鍍膜過程中,從膜材表面蒸發(fā)的粒子以一定的速度在空間沿直線運動,直到與其他粒子碰撞為止。在真空室內(nèi),當(dāng)氣相中的粒子濃度和殘余氣體的壓力足夠低時,這些粒子從蒸發(fā)源到基片之間可以保持直線飛行,否則,就會產(chǎn)生碰撞而改變運動方向。為此,增加殘余氣體的平均自由程,以減少其與蒸發(fā)粒子的碰撞幾率,把真空室內(nèi)抽成高真空是必要的。當(dāng)真空容器內(nèi)蒸發(fā)粒子的平均自由程大于蒸發(fā)源與基片的距離(以下稱蒸距)時,就會獲得充分的真空條件。設(shè)蒸距(蒸發(fā)源與基片的距離)為L,并把L看成是蒸發(fā)粒子已知的實際行程,λ為氣體分子的平均自由程,設(shè)從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來的蒸汽分子數(shù)為N0,在相距為L的蒸發(fā)源與基片之間發(fā)生碰撞而散射的蒸汽分子數(shù)為N1,而且假設(shè)蒸發(fā)粒子主要與殘余氣體的原子或分子碰撞而散射,則有N1/N0=1-exp(L/λ)(1) 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制



在室溫(25℃)和氣體壓力為p(Pa)的條件下,殘余氣體分子的平均自由程為λ=6.65×10-1/pcm(2)由上式計算可知,在室溫下,p=10-2Pa時,λ=66.5cm,即一個分子在與其它分子發(fā)生兩次碰撞之間約飛行66.5cm。碰撞圖2是蒸發(fā)粒子在飛向基片途中發(fā)生碰撞的比例與氣體分子的實際路程對平均自由程之比值的曲線。從圖中可以看出,當(dāng)λ=L時,有63%的蒸發(fā)分子會發(fā)生碰撞。如果平均自由程增加10倍,則散射的粒子數(shù)減少到9%,因此,蒸發(fā)粒子的平均自由程必須遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于蒸距才能避免蒸發(fā)粒子在向基片遷移過程中與殘余氣體分子發(fā)生碰撞,從而有效地減少蒸發(fā)粒子的散射現(xiàn)象。目前常用的蒸發(fā)鍍膜機(jī)的蒸距均不大于50cm。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制



后處理,涂面漆。第三節(jié)濺射鍍膜濺射鍍膜是指在真空條件下,利用獲得功能的粒子轟擊靶材料表面,使靶材表面原子獲得足夠的能量而逃逸的過程稱為濺射。被濺射的靶材沉積到基材表面,就稱作濺射鍍膜。濺射鍍膜中的入射離子,一般采用輝光放電獲得,在l0-2Pa~10Pa范圍,所以濺射出來的粒子在飛向基體過程中,易和真空室中的氣體分子發(fā)生碰撞,使運動方向隨機(jī),沉積的膜易于均勻。近年發(fā)展起來的規(guī)模性磁控濺射鍍膜,沉積速率較高,工藝重復(fù)性好,便于自動化,已適當(dāng)于進(jìn)行大型建筑裝飾鍍膜,及工業(yè)材料的功能性鍍膜,及TGN-JR型用多弧或磁控濺射在卷材的泡沫塑料及纖維織物表面鍍鎳Ni及銀Ag。第四節(jié)電弧蒸發(fā)和電弧等離子體鍍膜這里指的是PVD領(lǐng)域通常采用的冷陰極電弧蒸發(fā),以固體鍍料作為陰極,采用水冷、使冷陰極表面形成許多亮斑,即陰極弧斑?;“呔褪请娀≡陉帢O附近的弧根。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制


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