選擇振蕩器時(shí)需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時(shí)需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。在特定的應(yīng)用場(chǎng)合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

晶體振蕩器的用途

1、通用晶體振蕩器，用于各種電路中，產(chǎn)生振蕩頻率。

2、時(shí)鐘脈沖用石英晶體諧振器，與其它元件配合產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)脈沖信號(hào)，廣泛用于數(shù)字電路中；

3、微處理器用石英晶體諧振器；

4、CTVVTR用石英晶體諧振器；

5、鐘表用石英晶體振蕩器。

晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱為晶片），石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振[，而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。

晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)

晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件。它的基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下的薄片(在它的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂敷銀層作為電極)，還有IC芯片以及相應(yīng)的電阻電容和微小線路板組成的振蕩電路，再加上封裝外殼就構(gòu)成了晶體振蕩器，一般簡(jiǎn)稱為晶振。其產(chǎn)品大多用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。

不同的工程使用，對(duì)晶體振蕩器頻率的技術(shù)性能要求不同。有的要求頻率短期穩(wěn)定度高；有的要求簡(jiǎn)單好用；有的要求長(zhǎng)期穩(wěn)定性高；有的要求開機(jī)后短時(shí)間內(nèi)能穩(wěn)定工作；有的要求能抗很強(qiáng)的沖擊與振動(dòng)等等。

晶體振蕩器作用

每個(gè)單片機(jī)系統(tǒng)都有晶體振蕩器，整個(gè)過程稱為晶體振蕩器。晶體振蕩器在單片機(jī)系統(tǒng)中起著非常重要的作用。它結(jié)合單片機(jī)內(nèi)部的電路，產(chǎn)生單片機(jī)所需的時(shí)鐘頻率。單片機(jī)所有指令的執(zhí)行都基于此。晶體振蕩器提供的時(shí)鐘頻率基于此。速率越高，微控制器的運(yùn)行速度就越快。