真空鍍膜技術具有下列優(yōu)點：

薄膜和基體選材廣泛，薄膜厚度可進行控制，薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。

鍍膜技術都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾。

由于在真空條件下制膜，所以薄膜的純度高、密實性好、表面光亮不需要再加工，這就使得薄膜的力學性能和化學性能比電鍍膜和化學膜好。

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結于鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。

物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。

物理氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材廣泛、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復性好等優(yōu)點。

真空鍍膜就是于真空室內(nèi)，采用一定方法使材料凝聚成膜的工藝。

在真空條件下成膜有很多優(yōu)點：可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發(fā)源與基板距離較遠和薄膜質(zhì)量要求很高的場合，則要求壓力更低。

真空鍍膜設備普遍應用于工業(yè)生產(chǎn)，無論是小產(chǎn)品還是大產(chǎn)品、金屬制品還是塑膠制品、亦或者陶瓷、芯片、電路板、玻璃等產(chǎn)品，基本上所有需要進行表面處理鍍膜的都需要用到。

在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發(fā)或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。

納米鍍膜技術及研發(fā)使用配方, 能在金、銀、鎢、鈷、鈀等不同表面形成2-10nm厚度左右的鍍層，從而使金屬表面具有良好的耐磨性、導電性能、耐腐蝕、耐高溫、防氧化及改變表面張力等特性，從而提升材料性能，可以的改善產(chǎn)品品質(zhì)。