鍍膜技術在集成電路制造中的應用 晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發(fā)金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術?？梢姎庀喑练e術制備集成電路的核心技術之一。

真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。

真空鍍膜的操作規(guī)程

1．在真空鍍膜機運轉正常情況下，開動真空鍍膜機時，須先開水管，工作中應注意水壓。

2．在離子轟擊和蒸發(fā)時，應特別注意高壓電線接頭，不得觸動，以防觸電。

3．在用電子槍鍍膜時，應在鐘罩外圍上鋁板。觀察窗的玻璃用鉛玻璃。

4．鍍制多層介質膜的鍍膜間，應安裝通風吸塵裝置，及時排除有害粉塵。

5．有毒物品要妥善保管，以防。

6．酸洗夾具應在通風裝置內進行，并要戴橡皮手套。

7．把零件放入酸洗或堿洗槽中時，應輕拿輕放，不得碰撞及濺出。平時酸洗槽盆應加蓋。

8．工作完畢應斷電、斷水。

真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。

在鍍膜領域，鍍膜后薄膜樣品的厚度是影響薄膜性能的一個重要因素。因此，當評價薄膜樣品的性能時，需要檢測該薄膜樣品不同厚度下的性能。對于真空鍍膜的情形，這往往需要進行多次試樣的制備。