氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點。

氧化鋯(YSZ)晶體產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規(guī)尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應(yīng)用于高溫超導(dǎo)薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學(xué)穩(wěn)定性好、成本低的特點。常壓下純的 氧化鋯有三種晶型，低溫為單斜晶系，密度5.68g/cm3， 高溫為四方晶系，密度6.10g/cm3，更高溫度下為立方晶系，密度6.27g/cm3，三種晶型相互間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下：單斜ZrO2  →  四方ZrO2  →  立方ZrO2  →   熔體。

氧化鋯(YSZ)晶體

產(chǎn)品規(guī)格：常規(guī)晶向：<100>, <110>, <111>；晶向公差：±0.5°；常規(guī)尺寸：dia2'x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A。注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

晶體結(jié)構(gòu)：立方；晶格常數(shù):a = 5.125  ?；密度:5.8 g  / cm3；純度: 99.99%；熔點: 2800°c；熱膨脹系數(shù):10.3 x10-6/ °c；介電常數(shù):27；晶體生長方法：弧熔法。

氧化鋯已經(jīng)在陶瓷、耐火材料、機械、電子、光學(xué)、航空航天、生物、化學(xué)等等各種領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。常溫下， 氧化鋯只能是單斜相，當(dāng)用鋯鹽煅燒，達到650℃時，出現(xiàn)穩(wěn)定的四方相，繼續(xù)升高時四方相逐步轉(zhuǎn)變?yōu)閱涡毕啵倮^續(xù)升溫至830℃時， 氧化鋯又開始向四方相轉(zhuǎn)變，至1170℃時，完全轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较啵瑴囟壬?370℃時轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较?