東莞市磁豐電子有限公司是一家集設(shè)計(jì)開發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的綜合性企業(yè)。公司的主要產(chǎn)品是EMI抗干擾磁環(huán)(鐵氧體，磁芯，鐵粉芯，磁通），磁珠，磁棒，共模/差模電感，組裝式電感，貼片電感等。詳情致電圖片上的電話。

減小信號(hào)線間的交叉干擾：

　A點(diǎn)一個(gè)上升時(shí)間為Tr的階躍信號(hào)通過引線AB傳向B端。信號(hào)在AB線上的延遲時(shí)間是Td。在D點(diǎn)，由于A點(diǎn)信號(hào)的向前傳輸，到達(dá)B點(diǎn)后的信號(hào)反射和AB線的延遲，T d

      時(shí)間以后會(huì)感應(yīng)出一個(gè)寬度為Tr的頁脈沖信號(hào)。在C點(diǎn)，由于AB上信號(hào)的傳輸與反射，會(huì)感應(yīng)出一個(gè)寬度為信號(hào)在AB線上的延遲時(shí)間的兩倍，即2Td的正脈沖信號(hào)。這就是信號(hào)間的交叉干擾。干擾信號(hào)的強(qiáng)度與C點(diǎn)信號(hào)的di/at有關(guān)，與線間距離有關(guān)。當(dāng)兩信號(hào)線不是很長時(shí)，AB上看到的實(shí)際是兩個(gè)脈沖的迭加。鐵氧體是一種利用高導(dǎo)磁性材料滲合其他一種或多種鎂、鋅、鎳等金屬在2000℃燒聚而成，在低頻段，鐵氧體抗干擾磁心呈現(xiàn)出非常低的感性阻抗值，不影響數(shù)據(jù)線或信號(hào)線上有用信號(hào)的傳輸。CMOS工藝制造的微控制由輸入阻抗高，噪聲高，噪聲容限也很高，數(shù)字電路是迭加100~200mv噪聲并不影響其工作。若圖中AB線是一模擬信號(hào)，這種干擾就變?yōu)椴荒苋萑?。如印刷線路板為四層板，其中有一層是大面積的地，或雙面板，信號(hào)線的反面是大面積的地時(shí)，這種信號(hào)間的交叉干擾就會(huì)變小。原因是，大面積的地減小了信號(hào)線的特性阻抗，信號(hào)在D端的反射大為減小。特性阻抗與信號(hào)線到地間的介質(zhì)的介電常數(shù)的平方成反比，與介質(zhì)厚度的自然對數(shù)成正比。若AB線為一模擬信號(hào)，要避免數(shù)字電路信號(hào)線CD對AB的干擾，AB線下方要有大面積的地，AB線到CD線的距離要大于AB線與地距離的2~3倍。可用局部屏蔽地，在有引結(jié)的一面引線左右兩側(cè)布以地線。

EMI 吸收環(huán) / 珠是一種用鐵氧體制成的元件，是一種吸收損耗型元件。其特性表現(xiàn)為：吸收高頻信號(hào)并將吸收的能量轉(zhuǎn)化成熱能耗散掉，從而達(dá)到抑制高頻干擾信號(hào)沿導(dǎo)線傳輸?shù)哪康?，其等效阻抗中電阻值分量是頻率的函數(shù)，隨著頻率而變化。

EMI 吸收環(huán) / 珠有效頻段為 2 1000MHz ，性能最a佳頻段則為 5 200MHz ，在此頻段吸收阻抗維持為一個(gè)常數(shù)。

EMI 吸收環(huán) / 珠選擇時(shí)要注意：通過電流大小正比于元件體積，兩者失調(diào)，易造成飽和，降低元件性能，避免飽和的有效方法是將電源的兩根線（正、負(fù)或火、地）同時(shí)穿過一個(gè)磁環(huán)。不同的溫度里,飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度BS的變化也會(huì)不同,假設(shè)在常溫下3K材料的BS值為200,但是在100℃時(shí)BS值會(huì)上升至300。磁環(huán)在使用中還有一個(gè)較好的方法是讓穿過磁環(huán)的導(dǎo)線反復(fù)串幾下，一來可提高穿過環(huán)的面積，增加等效吸收長度，二來充分利用磁環(huán)具有磁滯特點(diǎn)，改善低端特性。

　　它的制造工藝和機(jī)械性能與陶瓷相似。其電磁性能與添加金屬成分以及燒結(jié)過程中的時(shí)間，溫度與氣體成分有關(guān)。分裝式磁環(huán),要盡可能選用內(nèi)徑較小的，長度較長的磁環(huán)，同時(shí)，磁環(huán)一定要緊緊包住電纜，即磁環(huán)的內(nèi)徑尺寸要與電纜的外徑尺寸緊密配合。