影響誠(chéng)薄機(jī)誠(chéng)薄硅片平整度的因素有哪些?

要保證硅片厚度的一致性。因?yàn)楫?dāng)研磨時(shí)，由于磨料分布不均勻，使得行星齒輪片_上、下硅片研磨速度也會(huì)不一樣，所以要想保證硅片的減薄速度一樣,就必須在每研磨到一定時(shí)間時(shí)將行星齒輪片翻轉(zhuǎn)后再進(jìn)行研磨，從而確保硅片厚度的一致性，同時(shí)也讓硅片厚度公差得以縮小，具體要研磨多久才進(jìn)行翻車專為適當(dāng)，是要根據(jù)減薄厚度和測(cè)試結(jié)果來(lái)定的。

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誠(chéng)薄機(jī)對(duì)晶片誠(chéng)薄的必要性及作用?

根據(jù)制造工藝的要求來(lái)講，目前對(duì)晶片的尺寸、幾何精度、表面潔凈度以及表面微晶結(jié)構(gòu)提出了較高的要求，因此，在制造工藝的過(guò)程中減薄機(jī)對(duì)晶片減薄是相對(duì)不可缺少的一部分。那么，關(guān)于晶片減薄的必要性及作用具體體現(xiàn)哪些方面呢?

1.提高芯片的散熱性能要求

在集成電路中，由于硅基體材料及互聯(lián)金屬層存在電阻，在電流的作用下，芯片要產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象。而在芯片工作的過(guò)程中，由于部分熱量的產(chǎn)生，使得芯片背面產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。芯片熱量逐漸升高，基體層之間的熱差異性加劇，這無(wú)疑加大了芯片的內(nèi)應(yīng)力。較大的內(nèi)應(yīng)力使芯片生產(chǎn)，這是芯片損壞的主要原因之一。因此，只有通過(guò)減薄機(jī)對(duì)晶片背面進(jìn)行減薄，才可以降低芯片熱阻，有效提高芯片的散熱性能，從而降低了芯片破損的風(fēng)險(xiǎn)，提高了集成電路的可靠性。2.集成電路制造工藝要求

通過(guò)對(duì)晶片減薄工藝后，使其更加有利芯片分離，在一定程度上提高了劃片的質(zhì)量以及成品率。在許多集成電路制造領(lǐng)域內(nèi)，大家對(duì)集成電路芯片超薄化的要求是越來(lái)越高,要想得到高質(zhì)量的超薄芯片，我們就必須通過(guò)晶片減薄工藝的方式從而獲取。

通過(guò)以上兩點(diǎn)可以得出，只有通過(guò)減薄機(jī)對(duì)晶片減薄，才能更好的保證芯片的厚度及尺寸等方面的要求，這也足夠充分的體現(xiàn)了晶片減薄工藝的重要性。

減薄機(jī)設(shè)備組成

北京凱碩恒盛科技有限公司主營(yíng)項(xiàng)目：雙面研磨機(jī)，內(nèi)圓磨床，外圓磨床，減薄機(jī)，軸承磨加設(shè)備，汽車零部件磨床，砂輪，刀具等。

減薄機(jī)本設(shè)備主要用于硅片、陶瓷、玻璃、石英晶體、藍(lán)寶石、其他半導(dǎo)體材料等非金屬和金屬的脆硬性材料精密零件的高速減薄。由工件吸盤，吸盤主軸及驅(qū)動(dòng)器組件，砂輪，砂輪主軸及驅(qū)動(dòng)組件，絲桿導(dǎo)軌進(jìn)給組件及其他輔助配件構(gòu)成。

立式減薄機(jī)IVG-200S

設(shè)備概述：

名稱: 立式減薄機(jī)

型號(hào): IVG-200S

該設(shè)備采用立式主軸結(jié)構(gòu)，工作時(shí)磨盤與工件盤同時(shí)旋轉(zhuǎn)，磨盤的進(jìn)給采用微米步進(jìn)電機(jī)進(jìn)給系統(tǒng)，磨盤采用杯式金剛石磨盤，不但加工精度高，而且加工效率很高，為普通研磨效率的10倍以上。該系列設(shè)備廣泛應(yīng)用各類半導(dǎo)體晶片、壓電晶體、光學(xué)玻璃、陶瓷、藍(lán)寶石襯底、FDD表面、電子過(guò)濾器、碳化硅等材料的超精密平面加工。