晶體諧振器(Crystal)

晶體諧振器，英文是Crystal Units，簡稱為晶體（也有人稱為無源晶振）。目前市場上使用廣泛的是石英晶片為基材的晶體晶振。32.768kHz晶體諧振器。包括貼片音叉晶振，圓柱形和DIP型。AT晶體諧振器采用AT切割方式，基于基波的頻率范圍覆蓋4MHz~64MHz。多種規(guī)格尺寸可選。SAW諧振器300MHz至870MHz高頻率用途，超薄超小尺寸，可應(yīng)用在汽車無鈅門鎖等領(lǐng)域、近場通信等低功耗無線通信上。

石英晶體諧振器電容

晶振的負(fù)載電容有高、低兩類之別。低者一般僅為十幾至幾百PF，而高者則為無窮大，兩者相差懸殊，決不能混用，否則會使振蕩頻率偏離。兩類不同負(fù)載電容的晶振使用方式絕然不同。低負(fù)載電容晶振都串聯(lián)幾十pF容量的電容器；而高負(fù)載電容晶振不但不能串聯(lián)電容器，還須并聯(lián)數(shù)pF小容量電容器(外電路的分布晶振電容有時(shí)也能取代這個并聯(lián)小電容)

晶體諧振器的關(guān)鍵參數(shù)和主要用途

石英石晶體在電源電路中作為時(shí)間或是頻率標(biāo)準(zhǔn)源，稱得上機(jī)器設(shè)備。決策著電子產(chǎn)品的特性可靠性。 關(guān)鍵性能參數(shù)有： 靜電容(晶體端中間的電容)； 動態(tài)性電容 (震動彈性)； 動態(tài)性電感器 (震動品質(zhì))； 串聯(lián)電阻(耗能)； Q值(耦合電路質(zhì)量)； (負(fù)荷電容)； -R(負(fù)電阻器特點(diǎn))； DLD(鼓勵輸出功率轉(zhuǎn)變造成特性阻抗自變量)； 調(diào)節(jié)頻差； 溫度頻差。晶宇興晶振電路偏重于供貨工業(yè)設(shè)備，高精密儀表盤，研究室，軍事行業(yè)等。