碳化硅的物理屬性:密度

碳化硅的物理屬性：密度。各樣碳化硅晶形的顆粒密度十分近乎，普通覺得是3.20克/毫米3，其碳化硅磨料的當然堆砌密度在1.2--1.6克/毫米3其間，其高矮在于于粒度號、粒度合成和顆粒形狀。硬度。碳化硅的莫氏硬度為9.2，威氏顯微密硬度為3000--3300公公斤/毫米2，努普硬度為2670—2815公公斤/毫米，在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。導熱率。碳化硅制品的導熱率高，熱膨脹參數(shù)小巧，抗熱震性高。黑碳化硅的導熱性能反應了熱量傳遞的速度，在很多情況下需要用到，因此是企業(yè)在購買過程中比較看重的一項參數(shù)，但是它并不是一成不變的，會隨著使用時周圍環(huán)境的改變而改變。電學屬性。恒溫下工業(yè)碳化硅是一種半導體，屬雜質導電性。高純度碳化硅跟著氣溫的升高內阻率降低，含雜質碳化硅按照其含雜質不一樣，導電機能也不一樣。

黑碳化硅是以石英砂,石油焦和質量好的硅石為主要原料

黑碳化硅是以石英砂，石油焦和質量好的硅石為主要原料，通過電阻爐高溫冶煉而成。綠色碳化硅在制造上所采用的原料如黑碳化硅生產大致相同，另加工業(yè)作為反應劑和促進劑在電阻爐內反應而成。一般我們所看到的碳化硅有兩種顏色，一種黑色，一種綠色（加工過程中都會使用到石英砂、石油焦、回爐料、木屑等等），不同顏色的含量，用途也會有一定的差別。一般我們所看到的碳化硅有兩種顏色，一種黑色，一種綠色（加工過程中都會使用到石英砂、石油焦、回爐料、木屑等等），不同顏色的含量，用途也會有一定的差別。

碳化硅呈現(xiàn)黑色的原因在于晶體中包裹著微細的碳粒。不加時，由于二氧化硅蒸發(fā)速度較快，碳質材料來不及與之反應，造成一部分的二氧化硅蒸汽外逸損失了，而碳質材料卻未發(fā)生完全，以細微的顆粒留在已經(jīng)生成的碳化硅晶體中。應用范圍碳化硅主要有四大應用領域，即：功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。而在生產綠碳化硅過程中，我們常說的會比黑碳化硅冶煉時多加一種元素就是，因為可以促進碳化硅產品呈現(xiàn)綠色。

碳化硅微粉現(xiàn)貨

碳化硅微粉現(xiàn)貨

生產工藝粗、中、細SiC的配方

生產工藝

粗 、中、細SiC的配方應為5：1：4。制造碳化硅原料一般選用黑色SiC，其化學成分如下：SiC 98.0%，游離C 0.5%，F(xiàn)e 0.2%，游離SiO2 0.6%。由于結合方式不同，工藝過程有差異。不同結合方式的簡要工藝是：

(1)氮化硅結合碳化硅：用粗、中、細碳化硅顆粒和細硅粉成型的坯體，在純N2氣體中，在1370℃產生一種以&α-SiC為骨架和以&α和&β-Si3N4。為基質的氮化硅結合碳化硅。碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。在基質中尚有少量殘留硅和SiO2N2在制品中，這些組分的相對含量隨制造工廠不同而異。

(2)結合碳化硅：將SiC、硅粉、炭粉按一定配比，混合、成型，在1400℃還原氣氛中燒成。在大多數(shù)情況下采用埋炭燒成。在燒成過程中，產生一種以&α-SiC為骨架，以細晶粒&β-SiC為基質的&β-Si3N4結合SiC磚。由于其高熱導性、高崩潰電場強度及高大電流密度，在半導體高功率元件的應用上，不少人試著用它來取代硅。&β-SiC是在燒成過程中，細硅粉與細碳粉反應生成的，這種產品也含有少量殘留硅和碳。

(3)氧氮化硅結合碳化硅：這種磚配料時，細硅粉配比要少于碳化硅。