磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時(shí)候?yàn)榱说玫礁叩哪蛹兌?，也需要通入一定量反?yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進(jìn)行濺射沉積各種化合物膜層。只是在化學(xué)活性強(qiáng)的金屬、難容金屬、介質(zhì)以及化合物等材料上得到了少量的應(yīng)用。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時(shí)，都會(huì)存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達(dá)數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進(jìn)行了改進(jìn)，開發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問題，同時(shí)膜層的純度達(dá)到光學(xué)級(jí)別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對比情況。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

靶zhong毒現(xiàn)象

(1)正離子堆積：靶zhong毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進(jìn)行下去。1-10Pa的Ar或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13。（2）陽極消失：靶zhong毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽極的電子無法進(jìn)入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。

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磁控濺射鍍膜技術(shù)

磁控濺射鍍膜技術(shù)由于其顯著的優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)成為制備薄膜的主要技術(shù)之一。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場會(huì)使靶材產(chǎn)生顯著的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低，一般僅為20%-30%。非平衡磁控濺射改善了等離子體區(qū)域的分布，顯著提高了薄膜的質(zhì)量。中頻濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展有效克服了反應(yīng)濺射過程中出現(xiàn)的打弧現(xiàn)象，減少了薄膜的結(jié)構(gòu)缺陷，明顯提高了薄膜的沉積速率。磁控濺射鍍膜儀廠家?guī)懔私飧啵?

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一，磁控濺射鍍膜技術(shù)正廣泛應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光學(xué)膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜。

磁控濺射技術(shù)發(fā)展過程中各項(xiàng)技術(shù)的突破一般集中在等離子體的產(chǎn)生以及對等離子體進(jìn)行的控制等方面。通過對電磁場、溫度場和空間不同種類粒子分布參數(shù)的控制，使膜層質(zhì)量和屬性滿足各行業(yè)的要求。

對于濺射鍍膜來說，可以從真空系統(tǒng)，電磁場，氣體分布，熱系統(tǒng)等幾個(gè)方面進(jìn)行沒計(jì)，機(jī)械制造和控制貫穿整個(gè)工程設(shè)計(jì)過程。

濺射碰撞一般是研究帶電荷能離子與靶材表層粒子相互作用，并伴隨靶材原子及原子團(tuán)簇的產(chǎn)生的過程。

薄膜的屬性和基片的溫度、晶格常數(shù)、表面狀態(tài)和電磁場等有著密切關(guān)系。

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