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如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽(yáng)極金屬之間便形成肖特基勢(shì)壘，如圖所示。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極)時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

ASEMI新型高壓SBD的結(jié)構(gòu)和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過(guò)金屬與半導(dǎo)體接觸而構(gòu)成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導(dǎo)體通常為(Si)或(GaAs)。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導(dǎo)體材料作為基片。為了減小SBD的結(jié)電容，提高反向擊穿電壓，同時(shí)又不使串聯(lián)電阻過(guò)大，通常是在N 襯底上外延一高阻N-薄層。

常用肖特基二極管型號(hào):

常用的有引線式肖特基二極管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型號(hào)，詳細(xì)的代表型號(hào)有

肖特基二極管 30CPQ140

30CPQ140

 肖特基二極管 30CPQ100

30CPQ100

 肖特基二極管 30CPQ090

30CPQ090

 肖特基二極管 30CPQ060

30CPQ060

 肖特基二極管 30CPQ045

30CPQ045

 肖特基二極管 MBRS260T3G

MBRS260T3G

 肖特基二極管 MBRS130T3G

MBRS130T3G

 肖特基二極管 MBRS320T3G

MBRS320T3G

 肖特基二極管 MBRS340T3G

MBRS340T3G

 肖特基二極管 MBRS140T3G

MBRS140T3G

 肖特基二極管 MBRS240LT3

MBRS240LT3

 肖特基二極管 MBRS230LT3

MBRS230LT3

 肖特基二極管 MBRS2040LT

MBRS2040LT

 肖特基二極管 MBR20100

MBR20100

 肖特基二極管 MBR3045

MBR3045

 肖特基二極管 MBR2545

MBR2545

 肖特基二極管 MBR2045

MBR2045

 肖特基二極管 MBR1545

MBR1545

 肖特基二極管 MBR1045

MBR1045

肖特基二極管 MBR745

MBR745

 肖特基二極管 MBR3100

MBR3100

 肖特基二極管 MBR360

MBR360

 肖特基二極管 DSC01232

DSC01232

 肖特基二極管 SB3040

SB3040

 肖特基二極管 IN5817

IN5817

 肖特基二極管 IN5819

IN5819

 肖特基二極管 IN5818

IN5818

 肖特基二極管 IN5822

IN5822

 肖特基二極管 HER107

HER107

 肖特基二極管 HER207

HER207

 肖特基二極管 HER307

HER307

 肖特基二極管 FR105

FR105

 肖特基二極管 FR2050