磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控濺射原理：電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與原子發(fā)生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對(duì)較高。

但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù)，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片，增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場(chǎng)特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。另外，在設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，磁控濺射過(guò)程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行的話，也要同軸旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行。但旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，同時(shí)濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)多用于大型或貴重靶，如半導(dǎo)體膜濺射。對(duì)于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，多用磁場(chǎng)靜止靶源。

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濺射鍍膜的特點(diǎn)

濺射就是從靶表面撞擊出原子物質(zhì)的過(guò)程。濺射產(chǎn)生的原子或分子沉積到基體(零件)表面的過(guò)程就是濺射鍍膜。

濺射鍍膜與真空鍍膜相比,有如下特點(diǎn):

1.任何物質(zhì)都可以濺射, 尤其是高熔點(diǎn)金屬、低蒸氣壓元素和化合物;

2.濺射薄膜與襯底的附著性好;

3.濺射鍍膜的密度高,孔少,膜層純度高;

4.膜層厚度可控性和重復(fù)性好。

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小型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)簡(jiǎn)介

小型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)適合于快速濺射鍍膜科研、教學(xué)與小批量打樣，可快速、低成本的制備多種微納米厚度的膜層。

具有一體化、占用空間小、靈活的特點(diǎn)，無(wú)需380V工業(yè)電，無(wú)需額外冷水機(jī)，采用無(wú)油干泵分子泵組，無(wú)需操心真空系統(tǒng)和操作間環(huán)境泵油污染。

保證設(shè)備具有優(yōu)異的質(zhì)量與穩(wěn)定可靠性。觸摸屏控制界面，帶來(lái)簡(jiǎn)單、操作方便的體驗(yàn)。

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