1.6 蝕刻

可用兩種方法進(jìn)行蝕刻： A、電解法：電流 15－50A，電壓 3－5V，電解液：20%氯化銨、20%硫酸，陽極用鈦板。電解過程中及時(shí)去掉陽極上浮 留電解銅，以保證電流正常通過。 B、三氯化鐵法：選用較純的三氯化鐵泡成 30 波氏度溶液，流 動(dòng)腐蝕。由于電解蝕刻是在金屬導(dǎo)電的情況下形成蝕刻的，那么我們的產(chǎn)品在蝕刻下去有任何的深度時(shí)側(cè)面也將被蝕刻的，這樣很多精細(xì)圖案，精細(xì)文字將被蝕刻”爛“掉。同一個(gè)版面要達(dá)到深淺不同效果，要在頭次達(dá)到淺度要求 后，清洗表面，烘干。在已達(dá)到淺度蝕刻處涂上（印上）普通耐蝕刻 油墨，再行二次蝕刻。 1.7 除膜 將已蝕刻完畢的銅板放在水、 30∶1∶0.1 溶液 中加溫至 70℃除膜、清洗出光。 1.8 電鍍 除膜后的銅板圖案已經(jīng)很亮，很細(xì)，無須再行鍍亮銅，可直接 進(jìn)行鍍鎳 40－90 秒，再行鍍金、鍍銀。

溫度的影響

蝕刻速率與溫度有著很大的關(guān)系, 蝕刻速率會(huì)隨著溫度升高而加快。 蝕刻液溫度低 于 40℃﹐蝕刻速率會(huì)很慢﹐而蝕刻速率過慢則會(huì)增大側(cè)蝕量﹐影響蝕刻質(zhì)量。要更進(jìn)一步地改善,可以透過對(duì)板中心和邊緣處不同的噴淋壓力,以及對(duì)板前沿和板后端采用間歇蝕刻的方法﹐達(dá)到整個(gè)板面的蝕刻均勻性。 當(dāng)溫度高于 60℃﹐蝕刻速率會(huì)明顯地增大, 但 NH3 的揮發(fā)量也大大地增加﹐導(dǎo)致環(huán)境污染并使蝕刻液中 化學(xué)組份比例失調(diào)。 故一般應(yīng)控制在 45℃~55℃為宜。

蝕刻液的調(diào)整

自動(dòng)控制調(diào)整 隨著蝕刻的進(jìn)行, 蝕刻液中銅的含量不斷增加﹐比重亦逐漸升高。 當(dāng)蝕刻液中銅濃 度達(dá)到一定的高度時(shí)就要及時(shí)調(diào)整。蝕刻標(biāo)牌是指金屬標(biāo)牌的圖片與金屬表面不在同一個(gè)表面，并以蝕刻的方式而制成。 在自動(dòng)控制補(bǔ)加裝置中﹐是利用比重控制器來控制蝕 刻液的比重。 當(dāng)比重升高時(shí)﹐會(huì)自動(dòng)排放出溶液﹐并添加新的補(bǔ)加液﹐使蝕刻液的比重調(diào) 整到允許的范圍。 補(bǔ)加液要事先配制好并放入補(bǔ)加桶內(nèi)﹐使補(bǔ)加桶的液面保持在一定的高 度。

化學(xué)蝕刻（Chemical etching）-- 氣態(tài)物質(zhì)（中性原子團(tuán)）與表面反應(yīng)， 產(chǎn)物必定易揮發(fā)，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強(qiáng)蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨(dú)使用中性原子團(tuán)不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物，具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物；具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層，這樣，化學(xué)反應(yīng)以后 能生成揮發(fā)性物質(zhì)，亦稱為反應(yīng)離子蝕刻（RIE） 。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機(jī)械的濺射襯底材料。主要用做研究實(shí)驗(yàn)機(jī)，或者簡(jiǎn)單的在金屬上蝕刻標(biāo)記，也稱為電打標(biāo)。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計(jì) 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。

注: a.烘干速度應(yīng)與堿洗速度相同； b.水洗時(shí)水量較大,要確保沖洗干凈。 (4)注：開機(jī)運(yùn)行到設(shè)定溫度后(約 15~20 分鐘),方可測(cè)試酸液及堿液的濃度,其在規(guī)定范圍內(nèi)可進(jìn)行生產(chǎn)。

二、酸溶液的配制 1.酸液 1)第二槽酸液配制方法: a.開槽配 360 升左右酸液 b.配制比例: 鹽酸 HCL(36~38%) : 純水 H2O 1 : 1.5 c.取 178 升的 HCL 慢慢加入 267 升純水中(邊攪拌邊加入) 。金屬蝕刻工藝流程1、金屬的種類不同，其蝕刻工藝的流程也不同，但大致的工序如下：焊邊：需要電烙鐵、焊劑、焊料等。配好后測(cè)試酸的當(dāng)量濃度,在范圍內(nèi)方可使用。