業(yè)余電臺愛好者使用的電臺電源就屬于此類電源

對于一些的基礎(chǔ)型系統(tǒng)電源往往是固定電壓型的，在電源操作面板上并不提供電壓調(diào)節(jié)功能，甚至有的系統(tǒng)電源不提供監(jiān)控輸出電壓的電表，業(yè)余電臺愛好者使用的電臺電源就屬于此類電源。有的產(chǎn)品為了迎合用戶的口味，都在基礎(chǔ)型電源上添加了電壓表和電流表，使得電源看上去更高科技一些，同時也方便監(jiān)視電源輸出狀況。對于一些的系統(tǒng)電源，使用了單片機控制和液晶狀態(tài)顯示，設(shè)置電壓可以通過鍵盤數(shù)字化輸入，有些功能和指標幾乎趕上可編程電源了。

可編程電源是用單片機以數(shù)字化形式控制的可調(diào)穩(wěn)壓電源

可編程電源是用單片機以數(shù)字化形式控制的可調(diào)穩(wěn)壓電源，其設(shè)定的參數(shù)可以存儲起來供日后調(diào)用。可編程電源設(shè)定的參數(shù)比較多，包括基本的電壓設(shè)定、功率限制設(shè)定、過流設(shè)定以及擴展的過壓設(shè)定等信息。通常可編程電源具有較高的設(shè)定分辨率，電壓和電流參數(shù)的設(shè)定都可以通過數(shù)字鍵盤輸入。中的可編程電源自身電壓漂移也很小，多用于科研場合。

SiC開關(guān)器件功率處理能力的一個實例

作為與硅器件的粗略“數(shù)量級”比較，基于 SiC 的 MOSFET 器件阻斷電壓是前者的 10 倍，開關(guān)速度約是其 10 倍，25℃ 時的導(dǎo)通電阻只有其一半或更小。同時，工作溫度高可達 200℃（硅器件為 125℃），因而使熱設(shè)計和熱管理得以簡化。SiC 開關(guān)器件功率處理能力的一個實例是 ROHM Semiconductor 的 SCT3105KRC14，1200 V、24 A 的 N 溝道 SiC 功率 MOSFET，RDS(on) 典型值為 105 mΩ。該器件具有良好的熱阻特性，相對于施加的脈沖寬度能夠迅速達到大值（圖 3）。