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電源轉(zhuǎn)換器有效設(shè)計(jì)的關(guān)鍵
在這些情況下,有效設(shè)計(jì)的關(guān)鍵在于電源轉(zhuǎn)換器控制電路或轉(zhuǎn)換器的核心器件,以及功率開關(guān)器件及其支持組件。這些器件主要用于實(shí)現(xiàn)選定的電源拓?fù)洌运璧碾妷汉碗娏魈峁┓€(wěn)定的直流輸出。轉(zhuǎn)換器可以包含集成功率器件(例如 MOSFET),抑或作為碳化硅 (SiC) 功率器件等外部分立功率器件的控制器和驅(qū)動(dòng)器。有些轉(zhuǎn)換器為整個(gè)系統(tǒng)提供穩(wěn)定的直流電源軌,另一些的功能則不甚顯著,但仍起著至關(guān)重要的作用,充當(dāng)具有特殊通斷屬性的柵極驅(qū)動(dòng)器。
AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中不存在所謂“魔彈式”能效提高法
在 AC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中,不存在所謂“魔彈式”能效提高法,設(shè)計(jì)人員費(fèi)盡心機(jī)往往也只能略微提高能效。但是,通過幾種大小策略組合反而有效:選擇合適的轉(zhuǎn)換器核心拓?fù)?,確定適合該方法和功率水平的開關(guān)頻率;該頻率通常在 100 kHz 至 1 MHz 之間。優(yōu)化電路:所有基本設(shè)計(jì)中都有許多細(xì)節(jié)會(huì)產(chǎn)生無功功率,電源設(shè)計(jì)人員已經(jīng)找到了相應(yīng)方法,在一定或很大程度上使其化;每個(gè)方面可能只有些許改進(jìn),但積少成多。使用本質(zhì)上有助于提高能效的有源和無源元件;對于功率器件 (MOSFET) 和某些二極管,則表示要改用基于 SiC 工藝技術(shù)的元器件。
憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能
憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能,如今 SiC 已成為下一代低損耗開關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件,SiC 器件具有眾多優(yōu)勢,因?yàn)楹笳呔哂懈叩膿舸╇妷杭捌渌匦裕ǎ号R界電場擊穿電壓更高,因而在給定的額定電壓下工作時(shí)漂移層更薄,大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高,因而在橫截面上可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬,因而高溫下的漏電流較小。因此,SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。
經(jīng)整流濾波后的直流電壓必須采取一定的穩(wěn)壓措施才能適合電子設(shè)備
經(jīng)整流濾波后輸出的直流電壓,雖然平滑程度較好,但其穩(wěn)定性仍比較差。經(jīng)整流濾波后的直流電壓必須采取一定的穩(wěn)壓措施才能適合電子設(shè)備的需要。常用的直流穩(wěn)壓電路有并聯(lián)型和串聯(lián)型穩(wěn)壓電路兩種類型。一般情況下,可以按照UD1=UR2和ID1≈(IR2)max來初步選定穩(wěn)壓管D1,如果負(fù)載有可能開路則應(yīng)選擇(ID1)max≈(2-3)(IR2)max,這是因?yàn)楫?dāng)負(fù)載時(shí)所有電流全部都會(huì)流過D1,所以ID1應(yīng)該適當(dāng)選擇大一點(diǎn)。