條寬損失 (Etch bias) 過蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。補償蝕刻速率和膜厚的不均勻 性。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過程中無意留下的物質。 微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜摻雜以及殘留物產(chǎn)生的無意留下的掩膜。使用噴淋式蝕刻機，有數(shù)個噴頭從上向下噴灑腐蝕液，金屬板放在下面的傳送帶上，緩慢移動，控制速度，進行腐蝕。 糊膠（Resist reticulation）-- 溫度超過 150 攝氏度時光刻膠產(chǎn)生的燃燒和折皺。 縱橫比（Aspect ratio）-- 器件結構橫截面深度和寬度的比率。

負載（Loading）-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數(shù)量，可在宏觀或微觀尺寸下。 縱橫比決定蝕刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蝕刻速率決定于縱橫比。 終點（Endpoint）-- 在一個蝕刻過程中，平均膜厚被蝕刻干凈時的時間點。 光刻膠（Photo-resist）-- 作為掩膜用來圖形轉移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于測試光學系統(tǒng)把相鄰的目標形成分離圖像的能力。要更進一步地改善,可以透過對板中心和邊緣處不同的噴淋壓力,以及對板前沿和板后端采用間歇蝕刻的方法﹐達到整個板面的蝕刻均勻性。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標能形成影像的縱向距。 關鍵尺寸（Critical dimensi-CD）-- 一個特征圖形的尺寸，包括線寬、間隙、或者 關聯(lián)尺寸。

去邊（Edge bead removal-EBR）--去膠邊的過程，通常在涂膠后將溶劑噴在硅片的背面或前 邊沿上。 前烘（Soft-bake）-- 在涂膠后用來去除膠溶劑的溫度步驟。 曝光-- 把涂膠后的硅片，暴露在某種形式的射線下，以在膠上產(chǎn)生隱約的圖像 的步驟。 PEB —曝光以后消除膠里的由襯底反射引起的膠里的駐波的溫度步驟。4精細網(wǎng)印徹底烘干選用硬度中偏低膠刮復墨網(wǎng)印，達到墨層厚而均勻，沒有斷線與眼，印完一色烘一色（100℃，10分鐘），最后一次印完在烘干150℃，1。 顯影（Development）-- 在曝光以后分解膠產(chǎn)生掩膜圖案的過程。 后烘 (Hard-bake)—用來去除殘留溶劑，增加膠的沾著力和耐腐能力，在顯影后完成，可以包 括 DUV 固膠。

六、酸/堿體積比的檢驗方法： 開機運行到設定溫度后(約 15~20 分鐘),測試酸液及堿液的體積比,在規(guī)定范圍內方可進行生產(chǎn)。 1．酸液 1）新配酸液和使用過的酸液的測定 a.將酸液稀釋 用吸量管吸取 10ml 酸液，放入 100ml 容量瓶中，然后加入純水至刻度處，蓋好玻璃塞，搖勻備用；FY6000型感光油墨使用流程和工藝參數(shù)如下：噴涂或者200--300目絲網(wǎng)滿版刮印在金屬板上↓烘烤90--100攝氏度，時間8--15分鐘↓紫外線曝光。 b.測定酸液當量體積 用吸量管吸取 10ml“a”之稀釋液，放入錐瓶中，加入純水 30ml 搖勻，再加入酚酞指示劑 1~3 滴并記下錐瓶 內溶液的體積為 V1，再取（NaOH）標準溶液倒入滴管內一般以 50ml 為基準，然后緩慢滴入錐瓶中， 滴至粉紅色后搖勻一分鐘后不褪色為終點，計下此時錐瓶內的數(shù)據(jù)為 V2，根據(jù)以下公式計算出溶液的體積