專業(yè)提供蝕刻標(biāo)牌、不銹鋼標(biāo)牌工藝要求：

1、不銹鋼板須刨坑折彎焊接（不銹鋼板須先刨坑后折彎，以保證邊緣挺拔度）；保證折彎處圓弧角R＜1MM。

2、焊接前清除表面油污，減少焊縫形成的虛焊、氣孔、裂紋等缺陷。

3、焊接完后將所有可見焊縫打磨光滑，與周圍表面一樣平滑，無明顯劃痕。深圳市延銘標(biāo)牌工藝有限公司專業(yè)提供各種標(biāo)牌，銘牌。

金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的新模式

　金屬標(biāo)牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝，標(biāo)牌顧名思義大家都知道是什么，金屬標(biāo)牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。5鍍前除油（加溫至60℃）泡浸5－10秒除油，烘干后要放在常溫除油劑中然后清洗檢查無印處是否全部親水。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板，擁有精致的線條紋路，使印刷出來的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。而輕，柔，美就是鋁牌的特點。這種鋁表面還有一層保護膜保護好鋁牌不被刮花。蝕刻就是在它的上面進行加工，一起來看看金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的模式吧！

突破性的蝕刻技術(shù)實現(xiàn)原子級的蝕刻精準(zhǔn)性，從而推動摩爾定律發(fā)展；隨著芯片結(jié)構(gòu)日益精細，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料；該系統(tǒng)已獲得芯片制造商青睞，用于生產(chǎn)先進FinFET和存儲芯片生產(chǎn)先進芯片的一個重要壁壘是在一個多層結(jié)構(gòu)芯片中有選擇性地清除某一特定材料，而不破壞其他材料是我們在蝕刻領(lǐng)域中的又一大創(chuàng)新，豐富了我們的差異化產(chǎn)品線，通過實現(xiàn)選擇性清除工藝，推動了摩爾定律發(fā)展，創(chuàng)造了新的市場機遇。隨著芯片結(jié)構(gòu)日益精細，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料。

隨著先進微型芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，其深而窄的溝槽為芯片制造帶來了全新的挑戰(zhàn)，例如濕性化學(xué)成分無法穿透微小結(jié)構(gòu)，或是無法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質(zhì)。使用噴淋式蝕刻機，有數(shù)個噴頭從上向下噴灑腐蝕液，金屬板放在下面的傳送帶上，緩慢移動，控制速度，進行腐蝕。Selectra系統(tǒng)的革命性工藝可進入極狹小的空間，從而實現(xiàn)的選擇性材料清除和原子級的蝕刻精準(zhǔn)性，適用于各類電介質(zhì)、金屬和半導(dǎo)體薄膜。其廣泛的工藝范圍以及控制無殘留物和無損傷材料清除的能力，顯著擴大了蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍，可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關(guān)鍵蝕刻應(yīng)用。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能，芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進的3D設(shè)備，并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。

鏤空產(chǎn)品的細線條應(yīng)在基材厚度的 1.2 倍以上； 表面蝕刻產(chǎn)品的細線條間隔應(yīng)在 0.16mm 左右， 這在 0.16mm 當(dāng)中黑線與白地的比例視反光度不同可作成 1∶3、2∶2、2∶1。雙面蝕刻產(chǎn)品的正反菲林片四周應(yīng)有清晰準(zhǔn)確的對準(zhǔn)十字線， 且正反兩張片都要藥膜帖近基材。蝕刻是一種采用采用化學(xué)手段侵蝕材料，制作標(biāo)牌的方法，是傳統(tǒng)標(biāo)牌制作方法之一。 （以銅板為例） 板材正面用 2400 轉(zhuǎn)/分布輪拋光， 1.2 板材處理 達到鏡面效果，然后去臘、除油、清洗、干燥待用。 1.3 網(wǎng)印光致成像感光膠 因為制作圖案極細。顯影后無法修補，因此選擇好的感光膠尤 為重要。我公司選用高氏（coates）光致成像耐蝕油墨，在黃光或 紅光下用 200 目絲網(wǎng)滿版印刷， 頭次印拋光面， 100℃烘 15 分鐘， 第二次印反面，再用 100℃烘 30 分鐘，待冷卻，表面不粘手，方可 進行曝光。 1.4 曝光 吸氣哂版機曝光。曝光時間 20－100 秒不等，線條越細，曝光 時間越長，反之則短。 1.5 顯影 用 3－5%碳酸鈉水溶液顯影， 水溫在 50℃左右， 水泡數(shù)秒鐘后， 用軟羊毛刷輕輕將水溶液刷除，然后清水漂洗二次，達到完全沒有殘 留膠為止。將濕銅板直接進行蝕刻，也可晾干后再行蝕刻。

負載（Loading）-- 蝕刻速率依賴于可蝕刻表面數(shù)量，可在宏觀或微觀尺寸下。每個蝕刻過程和每種實用的溶液都有一個很好的噴射壓力的問題﹐就目前而言﹐蝕刻艙內(nèi)噴射壓力在30磅/平方英寸（2Bar）以上的情況微乎其微。 縱橫比決定蝕刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蝕刻速率決定于縱橫比。 終點（Endpoint）-- 在一個蝕刻過程中，平均膜厚被蝕刻干凈時的時間點。 光刻膠（Photo-resist）-- 作為掩膜用來圖形轉(zhuǎn)移的光敏材料。 分辨率（Resolution）-- 用于測試光學(xué)系統(tǒng)把相鄰的目標(biāo)形成分離圖像的能力。 焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目標(biāo)能形成影像的縱向距。 關(guān)鍵尺寸（Critical dimensi-CD）-- 一個特征圖形的尺寸，包括線寬、間隙、或者 關(guān)聯(lián)尺寸。