曝光顯影是一種工程加工技術(shù)，用于制造半導(dǎo)體芯片、液晶顯示器等微電子器件，以及印刷和攝影等領(lǐng)域。曝光顯影使用特定的光刻膠和掩膜，在曝光和顯影兩個步驟中將所需的圖案或形狀轉(zhuǎn)移到底材表面。通常，標(biāo)牌曝光顯影廠商，曝光步驟是將光線聚焦在光刻膠上，而顯影步驟則是將底材浸泡在顯影劑中達到消除未曝光區(qū)域的目的。通過曝光顯影技術(shù)，標(biāo)牌曝光顯影生產(chǎn)商，可以在微米尺度上制造出高精度的微電子元器件和芯片。


用負顯影工藝可以實現(xiàn)較窄的溝槽，負顯影工藝已經(jīng)被廣泛用于20納米及以下技術(shù)節(jié)點的量產(chǎn)中 [1]  。顯影液表面停留（puddle）：為了讓顯影液與光刻膠進行充分反應(yīng)，用負顯影工藝可以實現(xiàn)較窄的溝槽，負顯影工藝已經(jīng)被廣泛用于20納米及以下技術(shù)節(jié)點的量產(chǎn)中 [1]  。所以的辦法是依據(jù)顯影的干膜光亮程度，圖像清晰度，阜沙標(biāo)牌曝光顯影，圖案線條與底片相符，標(biāo)牌曝光顯影訂制，曝光設(shè)備參數(shù)和感光性能，確定適合的曝光時間。


曝光一般在曝光機內(nèi)進行，目前的曝光機依據(jù)光源冷卻方式可分為風(fēng)冷和水冷，曝光質(zhì)量取決于除干膜致抗蝕劑、光源選擇、曝光時間、菲林膠片質(zhì)量等因素。顯影液去除并且清洗（rinse）：達到顯影時間后，使用DIW立即沖洗晶圓表面。去離子水不僅可以使顯影過程終止，而且會把顯影后缺陷顆粒沖洗掉。在沖洗過程中，晶圓旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力也對去除表面顆粒有很大的幫助。


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