ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號(hào)接口時(shí)，產(chǎn)品的組裝、測(cè)試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場(chǎng)上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計(jì)和制造通信產(chǎn)品時(shí)除了加強(qiáng)產(chǎn)品制造過程的ESD控制外，還要加強(qiáng)產(chǎn)品的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，尤其是高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。河南SD卡ESD保護(hù)元件測(cè)試

在高頻高速信號(hào)電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對(duì)電路的阻抗匹配、信號(hào)質(zhì)量會(huì)產(chǎn)生較大的影響，這要求設(shè)計(jì)的ESD防護(hù)電路具有很小的寄生參數(shù)，對(duì)信號(hào)質(zhì)量和阻抗匹配產(chǎn)生**小的影響，即要保證高頻信號(hào)盡量無損失地通過防護(hù)電路，同時(shí)ESD防護(hù)電路要對(duì)寬頻譜的ESD信號(hào)具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進(jìn)入被保護(hù)電路。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數(shù)字IC內(nèi)部的I/0端口一般無法直接設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路，因?yàn)榉雷o(hù)電路的寄生參數(shù)(主要是結(jié)電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。甘肅RS485接口ESD保護(hù)元件選型單位面積的ESD防護(hù)能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。

ESD防護(hù)電路對(duì)高頻信號(hào)質(zhì)量的影響與改進(jìn)。ESD防護(hù)電路的引入會(huì)影響電路的信號(hào)傳輸質(zhì)量，使信號(hào)的時(shí)延、頻響、電平等發(fā)生變化。在高頻電路中，防護(hù)電路引起電路參數(shù)的改變而影響電路的阻抗匹配，防護(hù)器件的導(dǎo)通特性也會(huì)引起信號(hào)的衰減、畸變、限幅等效應(yīng)。防護(hù)器件的結(jié)電容、箱位電壓(成導(dǎo)通電壓)是影響高頻信號(hào)質(zhì)量的關(guān)鍵因素。信號(hào)頻率高于1GHz時(shí)，直接采用TVS和開關(guān)二極管作ESD防護(hù)，其結(jié)電容很難滿足線路信號(hào)質(zhì)量的要求，此時(shí)需要采用降低防護(hù)電路并聯(lián)結(jié)電容的措施或采用LC高通濾波器結(jié)構(gòu)。

靜電是物體表面過?；虿蛔愕撵o止電荷，是通過電子或離子的轉(zhuǎn)移而形成的。一般固體靜電電壓可以達(dá)到20萬伏以上，液體靜電電壓可以達(dá)到數(shù)萬伏以上，人體靜電電壓可以達(dá)到1萬伏以上。一般工業(yè)生產(chǎn)中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)，設(shè)備或人體上的靜電位比較高可達(dá)數(shù)萬伏以至數(shù)千萬伏。靜電較之流電受環(huán)境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測(cè)量時(shí)復(fù)現(xiàn)性差、瞬態(tài)現(xiàn)象多。測(cè)量靜電是為靜電防護(hù)工程設(shè)計(jì)和改善產(chǎn)品自身抗靜電性能設(shè)計(jì)，提供數(shù)據(jù)和依據(jù)。ESD防護(hù)電路主要采用“過壓防護(hù)”的原理，通過隔離、箝位(限幅)、衰減、濾波等降低ESD沖擊電壓。

ESD策略，ESD防護(hù)電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護(hù)器件的ESD脈沖能量比較低，同時(shí)要求防護(hù)電路對(duì)正常工作信號(hào)的損耗和失真**小。因此設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路的基本指導(dǎo)思想是:對(duì)ESD信號(hào)來說，接口輸入點(diǎn)和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量小，而接口輸入點(diǎn)和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量大;對(duì)工作信號(hào)來說，接口輸入點(diǎn)和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量大，而接口輸入點(diǎn)和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量小。**的電浪涌防護(hù)器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS半導(dǎo)體閘流管瞬態(tài)抑制器件TSS、快速開關(guān)二極管等。硅基ESD保護(hù)器件的結(jié)電容與其芯片面積成正比關(guān)系。四川高浪涌ESD保護(hù)元件電壓

電阻不單獨(dú)用于芯片的靜電保護(hù)，它往往用于輔助的靜電保護(hù)，如芯片***級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。河南SD卡ESD保護(hù)元件測(cè)試

人體靜電防護(hù)編輯 播報(bào)人體是**普遍存在的靜電危害源。對(duì)于靜電來說，人體是導(dǎo)體，所以可以對(duì)人體采取接地的措施。(1).使用防靜電地面/ 防靜電鞋/ 襪(靜電從腳導(dǎo)到大地)通過腳穿防靜電性地面、地墊、地毯，人員穿上防靜電鞋襪，形成組合接地。(2).佩戴防靜電腕帶并接地(靜電從手導(dǎo)到大地)通過手用以泄放人體的靜電。它由防靜電松緊帶、活動(dòng)按扣、彈簧軟線.保護(hù)電阻及插頭或夾頭組成。松緊帶的內(nèi)層用防靜電紗線編織，外層用普通紗線編織。河南SD卡ESD保護(hù)元件測(cè)試