壓敏電阻的優(yōu)點：壓敏電阻可以根據(jù)需求制作成各種尺寸規(guī)格，有貼片型和插件型，也有塑封型壓敏電阻。插件型直徑尺寸有：5mm、7mm、10mm、14mm、20mm、25mm、32mm、34mm、40mm、53mm等。***的可變電阻電壓范圍：18V-1800V。多種浪涌承受能力：標準、高浪涌、超高浪涌大電流處理和能量吸收能力。單體通流量可達到70KA甚至更高?？旆磻?yīng)時間低泄露電流多種引線形式：直、彎和其他特殊引線類型。多種包裝形式：散裝、卷裝包裝、卷包裝。壓敏電阻很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號線路的保護中應(yīng)用。重慶壓敏電阻MOV分類

MOV的特點：MOV特點具有較強的浪涌吸收能力，MOV在8/20μs波形的通流范圍為幾百安培至幾十千安培，我司直徑為53mm的MOV單體在8/20μs波形的單次通流量可達70kA；壓敏電壓范圍為18V~1800V，電壓精度通常為±10%，滿足低壓到高壓的應(yīng)用需求；MOV具有雙向?qū)ΨQ的擊穿電壓特性，常用于交變電源線或低頻信號線的保護；MOV尺寸多樣化，我司可提供直徑尺寸為5mm~53mm的MOV；MOV是一種老化型元器件，用于大功率電源保護時常與陶瓷氣體放電管（GDT）或玻璃氣體放電管（SPG）串聯(lián)使用，以減緩MOV的老化，延長MOV使用壽命。上海O型腳壓敏電阻MOV壓敏電阻器標稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下，壓敏電阻器兩端的電壓值。

研究結(jié)果表明，若壓敏電阻存在著制造缺陷，易發(fā)生早期失效，強度不大的電沖擊的多次作用也會加速老化過程，使老化失效提早出現(xiàn)。而氧化鋅壓敏電阻器出現(xiàn)暫態(tài)過電壓破壞則是一個短時間內(nèi)造成器件損壞的情況，所謂的暫態(tài)過電壓破壞，指的是短時間內(nèi)出現(xiàn)較強的暫態(tài)過電壓使電阻體穿孔，導(dǎo)致更大的電流而高熱起火，整個過程在較短時間內(nèi)發(fā)生。按照氧化鋅壓敏電阻器失效后的表現(xiàn)情況來看，可以分成三種常見的失效狀態(tài)，即劣化、炸裂和穿孔。當表現(xiàn)為劣化狀態(tài)時，實物表現(xiàn)為使用萬用表測試壓敏電阻時出現(xiàn)漏電流增大情況，壓敏電壓下降，直至為零。當表現(xiàn)為炸裂情況時，則壓敏電阻器在抑制過電壓時將會發(fā)生陶瓷炸裂現(xiàn)象，非常明顯。當氧化鋅壓敏電阻器表現(xiàn)為穿孔情況時，則電阻器的陶瓷外層將會瞬間發(fā)生電擊穿，出現(xiàn)穿孔狀態(tài)。

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“壓敏電阻"是一種具有非線性伏安特性的電阻器件，主要用于在電路承受過壓時進行電壓鉗位，吸收多余的電流以保護敏感器件。英文名稱叫“VoltageDependentResistor”簡寫為“VDR”,或者叫做“Varistor"。壓敏電阻器的電阻體材料是半導(dǎo)體，所以它是半導(dǎo)體電阻器的一個品種?，F(xiàn)在大量使用的"氧化鋅"（ZnO）壓敏電阻器，它的主體材料有二價元素鋅（Zn）和六價元素氧（O）所構(gòu)成。所以從材料的角度來看，氧化鋅壓敏電阻器是一種“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導(dǎo)體”。在中國臺灣，壓敏電阻器稱為"突波吸收器",有時也稱為“電沖擊（浪涌）抑制器（吸收器）”。 壓敏電阻是一種過壓保護元件，一般用于交流電路浪涌保護。重慶壓敏電阻MOV電容

常用的壓敏電阻型號有621KD10或10D621K。重慶壓敏電阻MOV分類

在壓敏電阻各種不同的應(yīng)用中，要用到I-V特性曲線的所有區(qū)段，小電流線性區(qū)決定了功耗，即決定外加穩(wěn)態(tài)電壓時的工作電壓。非線性區(qū)決定著施加瞬態(tài)浪涌時的限制電壓。高電流區(qū)的特性**了保護大電流沖擊比如雷電的極限情況。因此對于高電流運用情況，我們希望元件的上升出現(xiàn)在盡可能高的電流密度區(qū)段，這樣會使元件電壓上升**小。以下將介紹壓敏電阻器的主要應(yīng)用參數(shù)及其功能。研究表明在室溫下ZnO晶粒的電阻率為()x10m，晶界區(qū)的電阻率約為(108~1010Ωm，而晶界的厚度基本是一定的，并且研究表明不同的材料、配方以及不同測定晶界電阻率的測試技術(shù)的情況下，所得到的晶界電阻率基本上是很接近的。因此決定壓敏電壓高低的主要因素是元件的尺寸和晶粒的尺寸。晶粒大小是獲得所要求的元件的電壓的構(gòu)成單元。也就是說，這是壓敏電壓的體積效應(yīng)。為提高壓敏電壓，只要增加元件尺寸(晶粒尺寸一定)或者減少晶粒尺寸(元件尺寸一定)。對于一個固定的配方，晶粒大小的主要影響因素有:燒結(jié)溫度、保溫時間、原料的顆粒度。此外還可以在配方中引入一些新的添加劑，在燒結(jié)過程中抑制晶粒的長大或者改變晶界電阻率來提高元件的電壓梯度。重慶壓敏電阻MOV分類