電阻衰減網(wǎng)絡(luò)可以采用圖2中(b)的n形結(jié)構(gòu)，也可以采用T型結(jié)構(gòu)。多階LC高通濾波器可以獲得較好的濾波矩形系數(shù)，當(dāng)濾波器截止頻率高于ESD脈沖主能量成分的頻率，可以把絕人部分ESD能量濾除，因此在較高頻率的高頻端口使用LC高通濾波器，可以獲得很好的SD防護(hù)效果。電阻衰減網(wǎng)絡(luò)和品通濾波器屬于線性無源網(wǎng)絡(luò)，不存在響應(yīng)速度的問題，根據(jù)高頻電路阻抗特征進(jìn)行優(yōu)良的四配設(shè)計(jì)也有利于改善高頻接口的駐波性能。為了提高ESD防護(hù)效果，ESD防護(hù)電路應(yīng)盡可能靠近高頻端口，而被保護(hù)器件應(yīng)盡量遠(yuǎn)離端口，同時(shí)應(yīng)盡可能地減小并聯(lián)保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)寄生電感，如圖2(a)中的L1和L2，大的寄生電感將抗拒ESD脈沖電流的快速變化，使ESD電流大部分流入被防護(hù)器件。單級防護(hù)電路的防護(hù)效果不能滿足要求時(shí)，可以采用防護(hù)二極管、濾波器、衰減器等多級級聯(lián)的防護(hù)結(jié)構(gòu)。在選用TVS、開關(guān)二極管和R/L/C元件設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路時(shí)，要注意選用的元件、特別是R/L/C元件的能量承受能力要足夠強(qiáng)，不被ESD脈沖損壞，提高防護(hù)電路的可靠性。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。四川按鍵接口ESD保護(hù)元件電容

Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù)，它往往用于輔助的ESD保護(hù)，如芯片Input***級保護(hù)和第二級保護(hù)之間的限流電阻。當(dāng)ESD電流過大，***級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時(shí)，第二級ESD器件的導(dǎo)通將使其與電阻分壓，從而進(jìn)一步降低進(jìn)入內(nèi)部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻，如圖6所示，NMOS的柵極通過一電阻接地，而非直接接地。如此一來，在NMOS漏端發(fā)生正向的ESD脈沖時(shí)，由于NMOS的漏一柵電容，會(huì)使得器件的柵極耦合出一正的電勢，該電勢會(huì)促使NMOS的溝道開啟，從而起到降低NMOS在ESD應(yīng)力下觸發(fā)電壓的目的。福建高浪涌ESD保護(hù)元件應(yīng)用通過串聯(lián)的方式可以有效降低ESD防護(hù)電路的電容。

MOV具有ns級的快速響應(yīng)，但是結(jié)電容一般在數(shù)十pF以上;GDT具有pF級以下的結(jié)電容，但是響應(yīng)時(shí)間在數(shù)百ns以上;TSS的響應(yīng)速度很快，可達(dá)ps級，其結(jié)電容一般也在數(shù)十pF以上;TVS的響應(yīng)速度很快，可達(dá)ps級，其結(jié)電容目前比較低可以做到兒個(gè)pF;快速開關(guān)二極管的響應(yīng)速度與TVS相同，其結(jié)電容可達(dá)到1pF以下?？梢?，MOV、GDT和TSS都不能用于高頻電路的ESD防護(hù);TVS可以直接使用在數(shù)百M(fèi)Hz的信號接口進(jìn)行ESD防護(hù)，當(dāng)用于GHz以上的信號接口必須采用降低結(jié)電容的措施:低容值的快速開關(guān)二極管可以直接或采用降低結(jié)電容的優(yōu)化措施后用于數(shù)GHz的信號接口。

日常生活防靜電ESD防護(hù)，1保持皮膚濕潤，靜電如果頻繁找上你，很可能是因?yàn)槟愕钠つw缺水了。提高皮膚的濕潤度，可以更好地避免靜電的產(chǎn)生，也就避免了靜電給皮膚帶來疼痛感。2室內(nèi)保持濕度，秋冬季節(jié)空氣濕度下降，導(dǎo)致靜電難以釋放，這就造成了身體靜電過多。在室內(nèi)防靜電的比較好辦法就是增加空氣濕度，一般要求相對濕度在45%～65%。干燥季節(jié)要保持空氣濕度，可在室內(nèi)放一盆水，讓水自然蒸發(fā)，或者使用加濕器調(diào)節(jié)室內(nèi)濕度。3靜電釋放裝置，可選購市面上常見的靜電放電器、靜電釋放棒、靜電帶、靜電貼、除靜電鑰匙扣等。觸碰金屬部件時(shí)，先用小金屬物品（如：鑰匙、靜電放***）先接觸需接觸的位置，以達(dá)到消除靜電的目的。常用的ESD保護(hù)器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。

常見的ESD靜電放電模式有四種，分別是人體放電模型、機(jī)器放電模型、帶電器件模型、感應(yīng)放電模型：1.HBM，人體放電模型，即帶電人體對器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：人體——器件——地。2．MM，機(jī)器模型，即帶電設(shè)備對器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：機(jī)器——器件——地。3．CDM，帶電器件模型，即帶電器件直接對敵放電。放電途徑為：器件——地。4．FICDM,感應(yīng)放電模型，即器件感應(yīng)帶電后放電。途經(jīng)：電場——器件帶電——地。靜電源包裝，出ESD防護(hù)區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響。ESD保護(hù)元件測試

典型的機(jī)器模型對小電阻放電的波形, 峰值電流可達(dá)幾百安培，持續(xù)時(shí)間決定于放電通路的電感為幾百納秒。四川按鍵接口ESD保護(hù)元件電容

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強(qiáng)的器件。當(dāng)陽極出現(xiàn)PositiveESDPulse時(shí)，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強(qiáng)烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強(qiáng)，微分電阻也非常小。在陽極出現(xiàn)NegativeESDPulse時(shí)，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。四川按鍵接口ESD保護(hù)元件電容