人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車間內(nèi)，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面，并盡可能保持濕潤(rùn)。操作人員應(yīng)穿防靜電鞋，以減少人體帶電。如鋪有地毯應(yīng)夾織金屬絲，并與自來(lái)水管等接地體連接，以盡快導(dǎo)除靜電。(2)在易燃易爆場(chǎng)所，工作人員不應(yīng)穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場(chǎng)所的坐椅不宜采用人造革之類的高阻材料制造。(4)對(duì)高壓帶電體應(yīng)加屏蔽，人體應(yīng)避免與高速噴射的氣體接近，以防靜電感應(yīng)。避免靜電過(guò)量積累有幾種簡(jiǎn)單易行的方法：***，到自然環(huán)境中去。有條件的話，在地上赤足運(yùn)動(dòng)一下，因?yàn)槌Ｒ?jiàn)的鞋底都屬絕緣體，身體無(wú)法和大地直接接觸，也就無(wú)法釋放身上積累的靜電。第二，盡量少穿化纖類衣物，或者選用經(jīng)過(guò)防靜電處理的衣物。貼身衣服、被褥一定要選用純棉制品或真絲制品。同時(shí)，遠(yuǎn)離化纖地毯。第三，秋冬季要保持一定的室內(nèi)濕度，這樣靜電就不容易積累。室內(nèi)放上一盆清水或擺放些花草，可以緩解空氣中的靜電積累和灰塵吸附。第四，長(zhǎng)時(shí)間用電腦或看電視后，要及時(shí)清洗裸露的皮膚，多洗手、勤洗臉，對(duì)消除皮膚上的靜電很有好處。第五，多飲水，同時(shí)補(bǔ)充鈣質(zhì)和維生素c，減輕靜電對(duì)人帶來(lái)的影響。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強(qiáng)的器件。重慶RS485接口ESD保護(hù)元件電壓

由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來(lái)實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過(guò)一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來(lái)的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來(lái)實(shí)現(xiàn)，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過(guò)一些方法降低，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來(lái)的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。上海USB3.0接口ESD保護(hù)元件測(cè)試電阻不單獨(dú)用于芯片的靜電保護(hù)，它往往用于輔助的靜電保護(hù)，如芯片***級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。

靜電放電ESD接觸放電就是是電荷集中到一點(diǎn)然后通過(guò)可接觸的導(dǎo)體直接轉(zhuǎn)移到測(cè)試產(chǎn)品里面，這個(gè)是有預(yù)期的，一般打在控制板附近，固控制板的螺絲、可接觸的引腳上面。ESD空氣放電是電荷集中到***頭頂端保持5秒，通過(guò)慢慢靠近被測(cè)試產(chǎn)品不能導(dǎo)電的部分看電荷能不能擊穿絕緣部分，或者通過(guò)縫隙擊穿空氣進(jìn)去。這個(gè)觸發(fā)是360度隨機(jī)的。這樣的方式可以找到產(chǎn)品的不足之處。一般擊打屏幕縫隙、按鍵縫隙、還有嵌入式的引腳端口等不能直接接觸到導(dǎo)體的地方。

高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)主要是致力于降低防護(hù)電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感，并要求防護(hù)器件有ns級(jí)的響應(yīng)速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開(kāi)關(guān)二極管是比較廉價(jià)的方案，在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會(huì)有更加理想的ESD防護(hù)效果。ESD防護(hù)電路的防護(hù)能力與選用的防護(hù)器件、被保護(hù)器件的ESD敏感度、電路結(jié)構(gòu)形式、布線等因素密切相關(guān)，一般無(wú)法直接確定一個(gè)防護(hù)電路單元的防護(hù)能力，必須把防護(hù)電路單元和被保護(hù)的具體電路作為一個(gè)整體并按照標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試，以確定一個(gè)實(shí)際電路的防護(hù)效果。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過(guò)寄生的BJT來(lái)釋放ESD電流。

人體放電模型（HBM）法規(guī)：十九世紀(jì)時(shí)，人們?cè)眠@種模型來(lái)調(diào)查礦坑中的氣體混合物事件。美國(guó)***標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883的第3015.8號(hào)方法建立了一個(gè)簡(jiǎn)化的等效電路，以及模擬人體模型需要的測(cè)試程序。另一個(gè)國(guó)際廣為使用的法規(guī)是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：靜電放電敏感度測(cè)試。人體模型主要用在工廠生產(chǎn)環(huán)境中，另一個(gè)類似的法規(guī)IEC61000-4-2，是系統(tǒng)級(jí)的靜電測(cè)試法規(guī)，則是在在系統(tǒng)層級(jí)的測(cè)試。我國(guó)靜電放電對(duì)應(yīng)的國(guó)標(biāo)相對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)為GB/T17626.2。靜電源控制，絕緣材料的靜電通過(guò)連接地和等電位連接無(wú)法消除，因此必須對(duì)敏感器件周邊進(jìn)行靜電源控制。安徽低壓ESD保護(hù)元件電壓

硅基ESD保護(hù)器件的結(jié)電容與其工作電壓成反比關(guān)系。重慶RS485接口ESD保護(hù)元件電壓

國(guó)際電工委員會(huì)(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2來(lái)評(píng)價(jià)電子設(shè)備的ESD抗擾度等級(jí)。但人們?cè)谘芯快o電放電的危害時(shí)，主要關(guān)心的是靜電放電產(chǎn)生的注入電流對(duì)電火工品、電子器件、電子設(shè)備及其他一些靜電敏感系統(tǒng)的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應(yīng)，直到20世紀(jì)90年代初Wilson才***提出ESD過(guò)程中產(chǎn)生的輻射場(chǎng)影響。IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)雖幾經(jīng)修改，規(guī)范了ESD模擬器對(duì)水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒(méi)有關(guān)于ESD輻射場(chǎng)的明確規(guī)定，對(duì)ESD模擬器也*規(guī)定了放電電流的典型波形和4個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)參數(shù)。通常被測(cè)設(shè)備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場(chǎng)影響的。許多學(xué)者在實(shí)際測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)，由于ESD模擬器內(nèi)部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)要求的不同END模擬器所得測(cè)試結(jié)果并不相同。重慶RS485接口ESD保護(hù)元件電壓