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ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似,但等效電容是200pF,等效電阻為0,機器模型與人體模型的差異較大,實際上機器的儲電電容變化較大,但為了描述的統(tǒng)一,取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻,且儲電電容大于人體模式,同等電壓對器件的損害,機器模式遠大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中,由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦,就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時,發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小。陜西RS485接口ESD保護元件廠家
高頻接口的ESD防護電路設計方法,接口的ESDS要求和ESSD選擇,通信產(chǎn)品內(nèi)部接口的靜電放電風險主要是在產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程,當制造環(huán)境和測試策略進行適當?shù)姆漓o電控制后,ESD風險能夠得到一定程度的降低,但是實際經(jīng)驗表明,這些內(nèi)部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達到+2000V以上才是比較安全的。通信產(chǎn)品外部接口的ESD風險不僅存在于產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程,更主要的是用戶的使用過程,實際經(jīng)驗表明,這些外部接口的ESDS需要達到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力,用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應選用防靜電能力強的器件,并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數(shù)。一般HBM參數(shù)應不低于500V,CDM和MM參數(shù)應不低工200V。湖南USB3.0接口ESD保護元件測試在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案。
高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感,并要求防護器件有ns級的響應速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案,在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會有更加理想的ESD防護效果。ESD防護電路的防護能力與選用的防護器件、被保護器件的ESD敏感度、電路結(jié)構形式、布線等因素密切相關,一般無法直接確定一個防護電路單元的防護能力,必須把防護電路單元和被保護的具體電路作為一個整體并按照標準IEC61000-4-2的測試方法進行測試,以確定一個實際電路的防護效果。
人體放電模型(HBM)法規(guī):十九世紀時,人們曾用這種模型來調(diào)查礦坑中的氣體混合物事件。美國***標準MIL-STD-883的第3015.8號方法建立了一個簡化的等效電路,以及模擬人體模型需要的測試程序。另一個國際廣為使用的法規(guī)是ANSI/ESDA-JEDECJS-001:靜電放電敏感度測試。人體模型主要用在工廠生產(chǎn)環(huán)境中,另一個類似的法規(guī)IEC61000-4-2,是系統(tǒng)級的靜電測試法規(guī),則是在在系統(tǒng)層級的測試。我國靜電放電對應的國標相對應的標準為GB/T17626.2。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力。
國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission,IEC)制定了測試標準IEC61000-4-2來評價電子設備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時,主要關心的是靜電放電產(chǎn)生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設備及其他一些靜電敏感系統(tǒng)的危害,忽視了靜電放電的電磁脈沖效應,直到20世紀90年代初Wilson才***提出ESD過程中產(chǎn)生的輻射場影響。IEC61000-4-2標準雖幾經(jīng)修改,規(guī)范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式,但沒有關于ESD輻射場的明確規(guī)定,對ESD模擬器也*規(guī)定了放電電流的典型波形和4個關鍵點參數(shù)。通常被測設備(equip—mentundertest,EUT)是易受電磁場影響的。許多學者在實際測試時發(fā)現(xiàn),由于ESD模擬器內(nèi)部繼電器與接地回路等因素的影響,符合IEC61000-4-2標準要求的不同END模擬器所得測試結(jié)果并不相同。SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。浙江天線接口ESD保護元件廠家
典型的機器模型對小電阻放電的波形, 峰值電流可達幾百安培,持續(xù)時間決定于放電通路的電感為幾百納秒。陜西RS485接口ESD保護元件廠家
靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內(nèi)部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十擾是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經(jīng)通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現(xiàn)ADC的異常工作呢?ADC電路的設計肯定存在較薄弱的環(huán)節(jié)。檢查電路發(fā)現(xiàn),ADC存在模擬地和數(shù)字地,電路設計時為了使數(shù)字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數(shù)字地和模擬地之問跨接了磁珠進行隔離。陜西RS485接口ESD保護元件廠家
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