擴(kuò)散爐分類及競(jìng)爭(zhēng)格局?jǐn)U散爐用于分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金等工藝中，因此按照功能不同，有時(shí)也稱擴(kuò)散爐為退火爐、氧化爐。擴(kuò)散爐主要分為臥式擴(kuò)散爐和立式擴(kuò)散爐。臥式擴(kuò)散爐是一種在圓片直徑小于200mm的集成電路擴(kuò)散工藝中大量使用的熱處理設(shè)備，其特點(diǎn)是加熱爐體、反應(yīng)管及承載圓片的石英舟(QuartzBoat)均呈水平放置，因而具有片間均勻性好的工藝特點(diǎn)。、離子注入機(jī)分類及競(jìng)爭(zhēng)格局離子注入機(jī)是集成電路裝備中較為復(fù)雜的設(shè)備之，根據(jù)注入離子的能量和劑量的不同，離子注入機(jī)大體分為低能大束流離子注入機(jī)、中束流離子注入機(jī)和高能離子注入機(jī)3種類型。其中，低能大束流離子注入機(jī)是目前占有率比較高的注入機(jī)，適用于大劑量及淺結(jié)注入，如源漏極擴(kuò)展區(qū)注入、源漏極注入、柵極摻雜以及預(yù)非晶化注入等多種工藝。中束流離子注入機(jī)可應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中的溝道、阱和源漏極等多種工藝。高能離子注入機(jī)在邏輯、存儲(chǔ)、成像器件、功率器件等領(lǐng)域應(yīng)用。、晶圓制造設(shè)備——濕法設(shè)備濕法工藝是指在集成電路制造過程中需要使用化學(xué)藥液的工藝，主要有濕法清洗、化學(xué)機(jī)械拋光和電鍍?nèi)箢悺?、濕法清洗機(jī)濕法清洗是指針對(duì)不同的工藝需求。在進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備前，需要了解中國(guó)的相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)。上海辦理半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口報(bào)關(guān)檢測(cè)要求

半導(dǎo)體設(shè)備類進(jìn)口國(guó)家主要有日本、韓國(guó)、美國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣、荷蘭等，特別是曝光機(jī)、真空蒸鍍機(jī)、光刻機(jī)等設(shè)備幾乎都被日本佳能和尼康壟斷，目前中國(guó)企業(yè)想要進(jìn)口只能花大價(jià)錢進(jìn)口這些國(guó)家進(jìn)口。半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口為什么要選擇氣墊車運(yùn)輸，恒溫恒濕廂式運(yùn)輸運(yùn)輸？答：氣墊運(yùn)輸對(duì)于航空領(lǐng)域的人來(lái)說(shuō)比較常見，它多應(yīng)用在精密或超重儀器搬運(yùn)過程中。其實(shí)在公路運(yùn)輸中，卡車運(yùn)輸也承擔(dān)了非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。由于運(yùn)輸?shù)呢浳锉容^“精貴”，對(duì)地面的壓力小，能很好的保護(hù)地面，車輛牽引車及掛車均為全氣囊配置以此來(lái)保障設(shè)備的防震功能，保障設(shè)備的精密度。上?？孔V的半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口報(bào)關(guān)經(jīng)驗(yàn)豐富半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口報(bào)關(guān)是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的過程，需要企業(yè)認(rèn)真對(duì)待。

定義:集成電路、光伏、LED為半導(dǎo)體設(shè)備主要構(gòu)成半導(dǎo)體設(shè)備指生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)備。以中國(guó)電子設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)的分類口徑，半導(dǎo)體設(shè)備主要包括集成電路設(shè)備、光伏設(shè)備、LED設(shè)備。其中，集成電路設(shè)備附加值比較高，包括前端集成電路制造設(shè)備與后端集成電路封測(cè)設(shè)備，終品為應(yīng)用于電子、通信等各行業(yè)領(lǐng)域的芯片。光伏設(shè)備包含硅片設(shè)備、電池片設(shè)備、組件設(shè)備等，平價(jià)上網(wǎng)倒逼產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)加快技術(shù)革新，制造設(shè)備迭代速度同步提速。另一方面，國(guó)內(nèi)單晶爐、切斷機(jī)、清洗機(jī)、擴(kuò)散爐等均已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，國(guó)產(chǎn)化比例超過90%。LED設(shè)備相對(duì)而言技術(shù)壁壘比較低，已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。2、全球:2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)產(chǎn)值約1,007億美元2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)產(chǎn)值約1,007億美元。賽迪研究院將全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)分為集成電路、光伏、新型顯示、LED四類，2018年，其分別實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值649億美元、48億美元、280億美元、30億美元，價(jià)值占比分別為、、、。集成電路設(shè)備價(jià)值占比比較高，2018年市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng)約。作為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)重要的構(gòu)成，2018年集成電路設(shè)備增速有所放緩。SEMI的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2018年全球集成電路設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模，同比增長(zhǎng)，增速較上年同期下降，中國(guó)市場(chǎng)，同比增長(zhǎng)。

國(guó)內(nèi)集成電路12英寸、28納米制程主要設(shè)備已成功進(jìn)入量產(chǎn)線，具體包括薄膜沉積設(shè)備、CMP拋光設(shè)備、刻蝕機(jī)、清洗設(shè)備、離子注入機(jī)等，其中，刻蝕機(jī)已具備一定的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。1）光刻機(jī):ASML壟斷超市場(chǎng)光刻機(jī)為大規(guī)模集成電路設(shè)備。光源作為光刻機(jī)的構(gòu)成，很大程度上決定了光刻機(jī)的工藝水平。光源的變遷先后經(jīng)歷:(a)紫外光源(UV:UltravioletLight)，波長(zhǎng)小縮小至365nm;(b)深紫外光源(DUV:DeepUltravioletLight)，其中ArFImmersion實(shí)際等效波長(zhǎng)為134nm;(c)極紫外光源(EUV:ExtremeUltravioletLight)，目前大部分比較高工藝制程半導(dǎo)體芯片均采用EUV光源。競(jìng)爭(zhēng)格局:全球?yàn)楹商mASML，其他包括日本Nikon、日本Canon等。國(guó)內(nèi)從事集成電路光刻機(jī)生產(chǎn)制造的企業(yè)主要為上海微電子(SMEE)與中國(guó)電科(CETC)旗下的電科裝備。了解目的地國(guó)家的相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)：不同國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口有不同的規(guī)定和標(biāo)準(zhǔn)。

薄膜沉積設(shè)備:應(yīng)用材料在PVD領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯集成電路薄膜材料制造采用的工藝為物相沉積PVD(PhysicalVaporDeposition)與化學(xué)氣相沉積CVD(ChemicalVaporDeposition)等。物相沉積指將材料源表面氣化并通過低壓氣體/等離子體在基體表面沉積，包括蒸發(fā)、濺射、離子束等?；瘜W(xué)氣相沉積指將含有薄膜元素的氣體通過氣體流量計(jì)送至反應(yīng)腔晶片表面反應(yīng)沉積，包括低壓化學(xué)氣相沉積LPCVD、金屬有機(jī)化合物氣相沉積MOCVD、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD等。原子層沉積ALD屬于化學(xué)氣相沉積的一種，區(qū)別在于化學(xué)吸附自限制(CS)與順次反應(yīng)自限制(RS)，每次反應(yīng)只沉積一層原子，從而具備成膜均勻性好、薄膜密度高、臺(tái)階覆蓋性好、低溫沉積等優(yōu)點(diǎn)，適用于具有高深寬比、三維結(jié)構(gòu)基材。全球競(jìng)爭(zhēng)格局:集成電路PVD領(lǐng)域主要被美國(guó)應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、瑞士Evatec、日本愛發(fā)科(Ulvac)所壟斷，其中應(yīng)用材料占比約85%;CVD領(lǐng)域全球主要供應(yīng)商為美國(guó)應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、東京電子(TokyoElectron)、泛林半導(dǎo)體(LamResearch)，其中應(yīng)用材料占比約30%。國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)格局:國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域沉積設(shè)備供應(yīng)商主要為沈陽(yáng)拓荊與北方華創(chuàng)。沈陽(yáng)拓荊:兩次承擔(dān)國(guó)家“02專項(xiàng)”。深圳進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備清關(guān)代理，進(jìn)口濺射臺(tái)半導(dǎo)體設(shè)備報(bào)關(guān)哪些要求，進(jìn)口二手設(shè)備中檢CCIC服務(wù)公司。上海有名的半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口報(bào)關(guān)海關(guān)編碼

半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口報(bào)關(guān)還需要注意一些其他的問題。上海辦理半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口報(bào)關(guān)檢測(cè)要求

集成電路硅片生產(chǎn)以直拉法為主。將多晶硅拉制成單晶硅包括兩種工藝，分別為區(qū)熔法與直拉法，其中，集成電路領(lǐng)域硅片主要采用直拉法制成。拉晶環(huán)節(jié)工序主要為將純凈硅加熱成熔融狀態(tài)→籽晶伸入裝有熔融硅的旋轉(zhuǎn)坩堝中→新晶體在初期籽晶上均勻延伸生長(zhǎng)→生產(chǎn)單晶硅錠。晶圓制造設(shè)備占設(shè)備投資總額約3%~5%。正如本文，2018年全球集成電路設(shè)備價(jià)值構(gòu)成中，晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備占比分別為81%、4%。具體來(lái)看，晶圓制造設(shè)備包括單晶爐、切割機(jī)、滾圓機(jī)、截?cái)鄼C(jī)、研磨系統(tǒng)、倒角機(jī)、刻蝕機(jī)、拋光機(jī)、清洗設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等。其中，單晶爐、CMP拋光機(jī)分別占晶圓制造設(shè)備額約25%、25%。單晶爐由爐體、熱場(chǎng)、磁場(chǎng)、控制裝置等部件構(gòu)成，其中，控制爐內(nèi)溫度的熱場(chǎng)與控制晶體生長(zhǎng)形狀的磁場(chǎng)為決定單晶爐性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。競(jìng)爭(zhēng)格局:內(nèi)資供應(yīng)商在太陽(yáng)能單晶爐領(lǐng)域已具備完全競(jìng)爭(zhēng)力，其中，綜合實(shí)力居前企業(yè)包括晶盛機(jī)電、南京晶能等。另一方面，國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域能夠供應(yīng)12英寸單晶爐的供應(yīng)商目前數(shù)量尚小。上海辦理半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口報(bào)關(guān)檢測(cè)要求